窒化シリコン膜付きGaAs基板上へのInGaAs横方向成長
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概要
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ホトリソグラフィー技術等により、SiN_x層で覆ったGaAs(111)B基板に円形の窓を形成し、さらに化学エッチにより溝を形成した. 液相成長法により、成長開始温度800℃でIn_xGa_<1-x>As (x=0.06)層を成長させた. 溝外部では、SiN_x膜上に横方向成長し{111}A、Bからなる六角形を形成した。また、溝内部でも溝側面からプリッチ状に横方向成長し溝底面とは接触しなかった. 溝内部、外部ともエッチピット密度は非常に低くなり、基板との格子不整合の影響を受けない良質な成長層が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
飯田 晋
静大電研
-
飯田 晋
静岡大学電子工学研究所
-
桜井 孝子
静岡大学電子工学研究所
-
柳田 浩行
静岡大学電子工学研究所
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