組成変換InAs基板上への高In組成比・高品質In_xGa_<1-x>Asブリッジ成長
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概要
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InAs(111)パターン基板を組成変換させた後、その上にIn_<1-x>Ga、As(x=0.2)薄膜を液相成長させた。溝なし基板上に成長させたIn_<1-x>Ga_xAs(x=0.2)横方向成長層は鏡面で平坦な層であった。溝付き基板を用いた場合、完全なブリッジ層は得られなかったが、SiN_xを溝底面に堆積した溝付き基板を用いると、In_<1-x>Ga_xAs(x=0.2)ブリッジ層が形成された。ブリッジ層のエッチピット密度は低く、品質の良い層が成長した。基板の形状に関らず、成長層のGaとIn組成比分布は均一であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-17
著者
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
BALAKRISHNAN K.
静岡大
-
Balakrishnan K.
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
Balakrishnan Krishnan
名城大学理工学部材料機能工学科
-
飯田 晋
静大電研
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
-
飯田 晋
静岡大学電子工学研究所
-
K バラクリシュナン
静岡大学電子工学研究所
-
Balakrishnan Krishnan
Electrotechnical Laboratory
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