Defect Filtration of Hollow Pyramidal Structured GaSb Epilayers Grown on GaSb (100) Patterned Substrates by Liquid Phase Epitaxy
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概要
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Pyramidal structured gallium antimonide epilayers with mirror-like {100} and {111} facets were grown on GaSb (100) patterned substrates by liquid phase epitaxy (LPE). The {111} facets were identified as two different faces: (111)A and (111)B.The pyramidal structure was hollow. Due to the presence of a masking layer and hollow space, both the epitaxial lateral overgrowth (ELO) layer and the top portion of the epilayer were of high quality. This result indicated that the hollow pyramidal structure has defect filtration effect.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2003-07-05
著者
-
章 国強
静岡大学電子工学研究所
-
早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
-
熊川 征司
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
静岡大学電子工学研究所
-
小山 忠信
電子工学研究所技術部
-
熊川 征司
静岡大学 電子研
-
章国 強
静岡大学電子工学研究所
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