熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
数値解析によるMOSSITにおけるバックゲート領域効果の検討
-
遮へいゲートSIT : その特性と設計
-
宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
-
InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
-
低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製
-
サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
ZnOナノドット形成の基板依存性
-
ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成 (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
-
SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
pGaSb-nGa_1-xAl_xSbヘテロ接合フォトダイオード
-
熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
-
熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
-
緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_XTe_混晶の成長
-
緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長
-
均一組成Ga_In_Sbバルク混晶の引き上げ成長 : 半導体液相成長I
-
溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb混晶の多段引き上げ
-
GaInSb混晶の均一組成バルク成長
-
29aA9 溶質供給下でのGaInSb混晶バルク成長(融液成長IV)
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
Defect Filtration of Hollow Pyramidal Structured GaSb Epilayers Grown on GaSb (100) Patterned Substrates by Liquid Phase Epitaxy
-
SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長における成長モード
-
リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
-
窒化ガリウム結晶の常圧下液相エピタキシャル成長
-
SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長
-
濡れ液からのGaN結晶成長実験
-
濡れ液からのGaN結晶成長実験
-
漏れ液からのGaN結晶成長実験
-
組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
-
組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
-
組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
-
GaAs on GaP液相成長初期過程のその場観察
-
Ga_In_Sb均一組成バルク混晶の引き上げ : 溶液成長
-
ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
組成変換法によるGaP基板上へのGaN層の形成
-
GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長
-
GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
-
GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
-
リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器(画像変換技術)
-
エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器
-
エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
-
エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
-
エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
-
レーザープロセスによるマルチピクセルp-i-n CdTeアレイ
-
化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
-
化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
-
EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
-
RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
エキシマレーザープロセスを用いたエネルギースペクトル計数型CdTe高エネルギー放射線イメージングデバイス
-
高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
-
高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
-
高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
-
CdZnTe系化合物半導体を用いた放射線検出器用ダイオードの作製
-
サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
ZnOナノドット形成の基板依存性
-
酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評価
-
Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
-
ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_xZn_`O混晶の作製
-
ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMgxZn_O混晶の作製
-
Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
Znoヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_XZn_O混晶の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
-
リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
CdTe 高エネルギー放射線イメージングデバイスによるガンマ線エネルギー弁別画像撮像
-
リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
-
水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
-
酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク