横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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横型反応管を用いたリモートプラズマ励起青MOCVD(RPE-MOCVD)によるZnO結晶成長をa面サファイア上に行い、膜厚分布に伴う成長モード変化を明らかにした。ZnOのc軸方向に成長しやすいという特徴を利用して自己形成によるZnOナノロッド及びナノワイヤを作製し、基板温度、成長圧力、原料供給比を様々に変化させることで、直径11nmのナノワイヤからRMS7.2nmの薄膜まで表面形状を制御することに成功した。また、ZnO結晶の光学特性の成長温度依存性を、PL測定によって評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-17
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