リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_<1-x>O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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リモートプラズマ励起MOCVD(RPE-MOCVD)法を用い、a面サファイア(11-20)基板上にMg_xZn_<1-x>O薄膜を成長した。II族原料にDEZnとEtCp_2Mgを用い、II族原料流量比を操作させることでMg_xZn_<1-x>O薄膜のMg組成を変化させた。VI族原料には酸素中性ラジカルを用いた。Mg組成の定量はEPMAおよび原子吸光分析によって行い、Mg_xZn<1-x>Oの分光透過率およびPLを測定し、光学特性評価を行った。Mg組成の増加によりバンドギャップが増大し、バッファ層無しでウルツ鉱構造Mg_xZn<1-x>Oのバンドギャップを3.28eVから3.69eVの範囲で制御できることが分かった。また、Mg組成とストークスシフトの関係を明らかにした。
- 2005-05-19
著者
-
中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
-
天明 二郎
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
石原 純二
静岡大学電子工学研究所
-
山本 兼司
静岡大学創造科学技術大学院
-
山本 兼司
静岡大学電子工学研究所
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