SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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アモルファスSiC薄膜の熱分解によるカーボンナノ構造形成を行なった。アモルファスSiC薄膜はヘキサメチルジシラン(HMDS)を原料に用い、水素プラズマによるリモートプラズマ励起化学気相堆積法(RPE-CVD)により成長した。 SiC薄膜成長において成長温度を増加させ、かつ、成長圧力を増加させたところ、750℃、0.07TorrにおいてSi-C結合ピークが増大することがFT-IRスペクトルから明らかになった。得られたアモルファスSiCを用いて熱分解法によりカーボンナノ構造生成を行い、グラファイトの生成を確認した。グラファイトの生成において、SiC薄膜の成長温度増加、及び熱分解時の水素添加によりラマンシフトのG/D比が減少し、グラファイトの形成量の減少を確認した。
- 2007-05-17
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