GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長
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概要
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格子整合系デバイスの開発を進めるためには任意の格子定数の実現できる混晶基板が不可欠である。ここでは均一組成のバルク混晶の成長技術として開発した溶質供給チョクラルスキー法をGa-In-Sb三元溶液系に拡張し、中間組成のGalnSb混晶の成長実験をおこなった。温度変動の混晶組成への影響を検討して設定した成長条件のもとに、InSb分率が0.6の結晶を引き上げることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-21
著者
-
田中 昭
静岡大学電子工学研究所
-
木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
米山 剛
静岡大学電子工学研究所
-
八木 光賢
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学
-
助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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