木村 雅和 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
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勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学
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鵜殿 治彦
静岡大学電子工学研究所
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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元垣内 敦司
静岡大学電子工学研究所
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田中 昭
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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米山 剛
静岡大学電子工学研究所
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八木 光賢
静岡大学電子工学研究所
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梶 正憲
静岡大学大学院電子科学研究科
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金井 宏
静岡大学電子工学研究所
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角辻 文康
静岡大学電子工学研究所:新エネルギー・産業技術総合開発機構
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渡辺 明佳
静岡大学電子工学研究所
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梶 正憲
静岡大学電子工学研究所
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角辻 文康
静岡大学電子工学研究所
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矢野 浩司
静岡大学電子科学研究科
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辻本 富幸
静岡大学電子工学研究所
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神谷 俊幸
静岡大学大学院電子科学研究科
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金 昌佑
静岡大学電子工学研究所
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本山 慎一
(株)新日本無線
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助川 祐三
静岡大学電子工学研究所
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渡辺 明佳
静岡大学大学院電子科学研究科
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渡邊 明佳
静岡大学電子工学研究所
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金井 宏
静岡大学大学院電子科学研究科
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本山 慎一
新日本無線株式会社
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勝野 宏宣
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 晃
静岡大学電子工学研究所
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角辻 文康
静岡大学大学院電子科学研究科
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神谷 俊幸
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- 数値解析によるMOSSITにおけるバックゲート領域効果の検討
- 遮へいゲートSIT : その特性と設計
- 均一組成Ga_In_Sbバルク混晶の引き上げ成長 : 半導体液相成長I
- 均一組成GaInSbバルク混晶の多段引き上げ成長
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb混晶の多段引き上げ
- Ga_In_Sb均一組成バルク混晶の引き上げ : 溶液成長
- GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶の液相成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- ZnCl_2を用いたZnSe LPE成長
- ヘテロLPE成長したGaP基板上GaAs層中の双晶発生の抑制
- 組成変換技術によるGaP基板上へのGaAsP混晶層の成長
- 29aA7 GaAs on GaP LPE成長層の熱処理によるGaAsP混晶への変換(融液成長IV)
- yo-yo溶質供給法を用いたGaAsの液相成長 : 半導体液相成長I
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- Si液相成長の溶質輸送に対する重力効果
- Si-LPE成長に及ぼす重力の影響 : 溶液成長
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
- 29aA8 InP on GaP液相成長(融液成長IV)
- 厚いZnSe層の結晶成長
- LPE成長GaAsの格子定数における不純物添加効果
- Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長
- yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長