GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
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概要
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- 日本結晶成長学会の論文
- 1995-07-10
著者
-
田中 昭
静岡大学電子工学研究所
-
鵜殿 治彦
静岡大学電子工学研究所
-
木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
-
勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
-
元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
-
元垣内 敦司
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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