Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長
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概要
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Ga-As-Ge溶液から、GaAs(100)基板上に成長層を析出させ、それについて評価を行った。成長層には、明確に2層が観察された。第1層は、厚さ約20μmのGaAs層、第2層は非常に厚いGe層であった。X線回折によって、これらの層は、基板にエピタキシャル成長していることがわかった。GaAsエピ層、Geエピ層共にp型の低抵抗層で、それぞれ、深さ方向にほぼ一定の抵抗率を持っている。これらのことから、Ga-As-Ge溶液から、p^+Ge, p^+GaAs構造が、連続にエピタキシャル成長できることが確認された。この成長法は、逆エピタキシーとして利用でき、SIThy等のGaAsパワーデバイス作製技術として有望である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-20
著者
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