ヘテロLPE成長したGaP基板上GaAs層中の双晶発生の抑制
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概要
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GaP(111)B基板上へのGaAs液相成長において発生し易い回転双晶を抑制するために, GaP基板と接触させるGa-As溶液の初期条件を調べた. 過飽和あるいは未飽和の溶液を接触させた場合には, 多くの双晶が発生したが, 完全飽和の溶液の場合には成長層に含まれる双晶割合を数%以下に減少させることができた. このことから, 双晶発生を抑えるためには平衡に近い接触が重要であることが判った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-05-23
著者
-
田中 昭
静岡大学電子工学研究所
-
鵜殿 治彦
静岡大学電子工学研究所
-
木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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