溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb混晶の多段引き上げ
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概要
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溶質供給CZ法は、安定なCZモード成長に必要な未飽和な溶液状態と、溶液組成の不変化のために必要な飽和な溶液状態を一つの成長系で実現することによって均一組成の混晶バルクを成長させる方法である。本成長法によってGaSb種子結晶に直接成長可能な低InSb組成の良好な均一組成のGaInSb混晶バルクを得ることができた。さらにInSb組成の高い所望組成の混晶を成長させるため、成長させた混晶を種子結晶として用い、多段成長を行った。本研究においては、溶質供給CZ法の下でGaInSb混晶の3段階成長を行い、InSb組成4%、7%、10%で均一組成で良好な混晶バルクを段階的に得ることができた。これによって、任意組成の混晶バルク成長に対する見通しが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-17
著者
-
田中 昭
静岡大学電子工学研究所
-
木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
渡辺 明佳
静岡大学電子工学研究所
-
渡邊 明佳
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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