GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
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概要
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Ga溶媒を用いて、ZnSe基板にZn-Ga-As-Se四元混晶をLPE成長させた。格子定数測定と定量分析の結果より、得られた混晶はGaAs、ZnSe、Ga_2Se_3からなる擬三元混晶であり、(3GaAs)_x{(3ZnSe)_y(Ga_2Se_3)_<1-y>}_<1-x>と表現されることがわかった。成長中、組成比yは0.8で変化しないが、xは増加していく。さらに、Ga-Zn溶媒を用いることで、GaAs-ZnSeなる擬二元混晶を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
-
田中 昭
静岡大学電子工学研究所
-
木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
-
勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
-
梶 正憲
静岡大学大学院電子科学研究科
-
梶 正憲
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学
-
助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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