GaP基板上へのGalnP混晶のLPE成長と計算機シミュレーション
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概要
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GalnP alloy with desired compositions were grown on GaP substraies using the compositional ceonvesion technique, A relatively good Galnp layer was obtained. Furthermore, to have better understanding this mechanism using solid-liquid-diffusion model, numerical simulation was. carricd. Numcrical solutions agreewith experimental results and explain well the conversion phenomenon.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
-
勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
-
勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
-
田中 昭
静大電子研
-
元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
-
元垣内 敦司
静大電子研
-
木村 雅和
静大電子研
-
勝野 廣宣
静大電子研
-
助川 徳三
静大電子研
-
助川 徳三
静岡大学
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