半導体結晶成長とガス配管技術
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 真珠研磨とSEM観察
- GaInSb混晶の均一組成バルク成長
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb均一組成バルク混晶の成長
- EPMA装置の性能比較
- GaP系NEA冷陰極
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長における成長モード
- 窒化ガリウム結晶の常圧下液相エピタキシャル成長
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 漏れ液からのGaN結晶成長実験
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 分析機器に関する学内研修の実施
- 組成変換法によるGaP基板上へのGaN層の形成
- 組成変換法によるGaInPおよびGaInAs混晶の成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶の液相成長
- GaP基板上へのGalnP混晶のLPE成長と計算機シミュレーション
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの成長
- In溶液からのCuGaSe_2バルク結晶の成長
- 高安定長寿命のNEA GaP-GaAlP冷陰極
- 7)NEAGaP冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- NEA GaP冷陰極(カソードの最近の進歩)
- 9)GaP系冷陰極のライフテスト(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- GaP系冷陰極のライフテスト
- 19)GaP系NEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 2-3 GaPによるNEA冷陰極
- 29aA7 GaAs on GaP LPE成長層の熱処理によるGaAsP混晶への変換(融液成長IV)
- 高圧ガスの法規と資格
- LPE成長n-GaP on p-GaAsヘテロ接合のアドミタンス測定による評価
- 1)液相成長による(InGa)P-GaAsヘテロ接合の特性(第49回 テレビジョン電子装置研究会第7回 画像表示研究会 合同研究会)
- GaP on GaAs液相エピタキシャル成長(第二報) : p-nヘテロ接合
- LPE成長InGaP-GaAlPヘテロ接合とNEA冷陰極への応用
- 温度差液相エピタキシャル法によるGaP p-n接合の成長
- 4-4 GaP NEA素子の寿命試験
- 4-3 温度差液相成長法によるNEA-GaP冷陰極素子
- プラズマCVD法によるSi-N:H膜成長
- EPMA装置の性能比較
- 技術部研修報告 : 浜松キャンパス
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
- LPE GaAs on GaPのAsPへの変換
- GaP基板上GaAs層のGaAsPへの組成変換
- 学生に実験装置を壊されないために
- 走査型電子顕微鏡(SEM)の修理
- 半導体結晶成長とガス配管技術
- 平成9年度東海・北陸地区国立学校等教室系技術職員合同研修(電気・電子コース)報告
- 平成9年度核融合科学研究所技術研究会 : 報告
- 光学顕微鏡システムの紹介
- 29aA8 InP on GaP液相成長(融液成長IV)
- CuGaSe_2結晶のIn溶液からの引上げ成長 : 半導体液相成長II
- In_1-xGa_xP混晶のエピタキシャル成長
- GeSi混晶厚膜の液相成長と酸化
- 退職予定者の思い : 今後の技術部に期待する
- YO-YO Solute Feeding法による半導体結晶の成長
- yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長