InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
組成変換法によりGaP基板上に任意組成のGaAsP混晶を成長させることに成功している。この方法を用いてGaP基板上にGaInP混晶を得るために、まず始めにGaP基板上へのInPの直接成長を行い、格子不整が7.5%もあるにもかかわらず良好な成長層を得ることに成功した。引き続いてこのInP層上にGa-In-P溶液を一定温度で一定時間接触させて熱処理を行うことにより、全ての組成範囲においてInP層をGaInP混晶に変換でき、さらに変換は30分で完了することが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-19
著者
-
田中 昭
静岡大学電子工学研究所
-
鵜殿 治彦
静岡大学電子工学研究所
-
木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
-
元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
-
元垣内 敦司
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
関連論文
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 数値解析によるMOSSITにおけるバックゲート領域効果の検討
- 遮へいゲートSIT : その特性と設計
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- pGaSb-nGa_1-xAl_xSbヘテロ接合フォトダイオード
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- 真珠研磨とSEM観察
- 均一組成Ga_In_Sbバルク混晶の引き上げ成長 : 半導体液相成長I
- 均一組成GaInSbバルク混晶の多段引き上げ成長
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb混晶の多段引き上げ
- GaInSb混晶の均一組成バルク成長
- 29aA9 溶質供給下でのGaInSb混晶バルク成長(融液成長IV)
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb均一組成バルク混晶の成長
- EPMA装置の性能比較
- GaP系NEA冷陰極
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長における成長モード
- リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
- 窒化ガリウム結晶の常圧下液相エピタキシャル成長
- SiC結晶の低温液相エピタキシャル成長
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 濡れ液からのGaN結晶成長実験
- 漏れ液からのGaN結晶成長実験
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- GaAs on GaP液相成長初期過程のその場観察
- Ga_In_Sb均一組成バルク混晶の引き上げ : 溶液成長
- 分析機器に関する学内研修の実施
- 組成変換法によるGaP基板上へのGaN層の形成
- GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- 組成変換法によるGaInPおよびGaInAs混晶の成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶の液相成長
- 三元溶液からのGaInSbバルク混晶の成長
- GaP基板上へのGalnP混晶のLPE成長と計算機シミュレーション
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの成長
- In溶液からのCuGaSe_2バルク結晶の成長
- ZnCl_2を用いたZnSe LPE成長
- ヘテロLPE成長したGaP基板上GaAs層中の双晶発生の抑制
- 組成変換技術によるGaP基板上へのGaAsP混晶層の成長
- 高安定長寿命のNEA GaP-GaAlP冷陰極
- 7)NEAGaP冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- NEA GaP冷陰極(カソードの最近の進歩)
- 9)GaP系冷陰極のライフテスト(〔テレビジョン電子装置研究会(第80回)画像表示研究会(第37回)〕合同)
- GaP系冷陰極のライフテスト
- 19)GaP系NEA冷陰極(テレビジョン電子装置研究会(第78回)画像表示研究会(第34回))
- 2-3 GaPによるNEA冷陰極
- 29aA7 GaAs on GaP LPE成長層の熱処理によるGaAsP混晶への変換(融液成長IV)
- yo-yo溶質供給法を用いたGaAsの液相成長 : 半導体液相成長I
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- Si液相成長の溶質輸送に対する重力効果
- Si-LPE成長に及ぼす重力の影響 : 溶液成長
- 第29回結晶成長国内会議および第24回結晶成長討論会報告
- 1)NEA冷陰極の放出電子密度分布(テレビジョン電子装置研究会(第87回)画像表示研究会(第46回))
- NEA冷陰極の放出電子密度分布
- 高圧ガスの法規と資格
- LPE成長n-GaP on p-GaAsヘテロ接合のアドミタンス測定による評価
- 1)液相成長による(InGa)P-GaAsヘテロ接合の特性(第49回 テレビジョン電子装置研究会第7回 画像表示研究会 合同研究会)
- GaP on GaAs液相エピタキシャル成長(第二報) : p-nヘテロ接合
- 4-2 Si添加GaAs NEA光電面
- LPE成長InGaP-GaAlPヘテロ接合とNEA冷陰極への応用
- 温度差液相エピタキシャル法によるGaP p-n接合の成長
- 4-4 GaP NEA素子の寿命試験
- 4-3 温度差液相成長法によるNEA-GaP冷陰極素子
- プラズマCVD法によるSi-N:H膜成長
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- LPE法によるIII-V族化合物半導体混晶の成長および溶解に関するSolid-Liquid Diffusion Modelによる解析II : 組成変換法への応用
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
- LPE GaAs on GaPのAsPへの変換
- GaP基板上GaAs層のGaAsPへの組成変換
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果
- 29aA8 InP on GaP液相成長(融液成長IV)
- 厚いZnSe層の結晶成長
- LPE成長GaAsの格子定数における不純物添加効果
- Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長
- yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長