均一組成GaInSbバルク混晶の多段引き上げ成長
スポンサーリンク
概要
著者
-
木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
-
渡辺 明佳
静岡大学電子工学研究所
-
渡辺 明佳
静岡大学大学院電子科学研究科
-
田中 昭
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
関連論文
- 数値解析によるMOSSITにおけるバックゲート領域効果の検討
- 遮へいゲートSIT : その特性と設計
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- 均一組成Ga_In_Sbバルク混晶の引き上げ成長 : 半導体液相成長I
- 均一組成GaInSbバルク混晶の多段引き上げ成長
- 溶質供給CZ法によるGa-Sb溶液からのGaSbの引き上げ
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb混晶の多段引き上げ
- GaInSb混晶の均一組成バルク成長
- 29aA9 溶質供給下でのGaInSb混晶バルク成長(融液成長IV)
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb均一組成バルク混晶の成長
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaSbおよびGaInSbバルク混晶の成長
- Ga_In_Sb均一組成バルク混晶の引き上げ : 溶液成長
- GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶の液相成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- ZnCl_2を用いたZnSe LPE成長
- ヘテロLPE成長したGaP基板上GaAs層中の双晶発生の抑制
- 組成変換技術によるGaP基板上へのGaAsP混晶層の成長
- 29aA7 GaAs on GaP LPE成長層の熱処理によるGaAsP混晶への変換(融液成長IV)
- Interfacial layerのあるGa(As,P)ショットキーバリアフォトダイオードの光吸収係数および少数キャリアの拡散長の測定
- 半導体中の光吸収係数および少数キャリアの拡散長測定のための改良型微分光電流法
- yo-yo溶質供給法を用いたGaAsの液相成長 : 半導体液相成長I
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- Si液相成長の溶質輸送に対する重力効果
- Si-LPE成長に及ぼす重力の影響 : 溶液成長
- 1)液相成長による(InGa)P-GaAsヘテロ接合の特性(第49回 テレビジョン電子装置研究会第7回 画像表示研究会 合同研究会)
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
- GaP上への格子不整合GaInP混晶層のLPE成長
- GaAsPおよびGaP基板上へのGaInP混晶のLPE成長
- 29aA8 InP on GaP液相成長(融液成長IV)
- 厚いZnSe層の結晶成長
- LPE成長GaAsの格子定数における不純物添加効果
- Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長
- 新しいLPE法を用いたGaAs p-channel BSITの製作
- (In,Ga,Al)Sb四元混晶の低温LPE成長
- Ga-Al-Sb三元系の相図計算
- (Ga,Al)Sb on (In,Ga)Sbヘテロ接合の低温液相成長
- yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長