Interfacial layerのあるGa(As,P)ショットキーバリアフォトダイオードの光吸収係数および少数キャリアの拡散長の測定
スポンサーリンク
概要
著者
-
長谷川 茂
静岡県工業技術センター
-
田中 昭
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学大学院電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
竹内 繁
日本電装(株)
-
長谷川 茂
静岡大学大学院電子科学研究科
-
竹内 繁
静岡大学電子工学研究所
関連論文
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- 均一組成GaInSbバルク混晶の多段引き上げ成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶の液相成長
- B-4-69 CISPR測定系におけるノイズ源位置推定への遺伝的アルゴリズムの適用(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- Ga(As,P)混晶の光吸収係数と少数キャリア拡散長の温度依存性
- Interfacial layerのあるGa(As,P)ショットキーバリアフォトダイオードの光吸収係数および少数キャリアの拡散長の測定
- 拡散接合フォトダイオードの光吸収係数,少数キャリア拡散長および不純物分布の測定
- 半導体中の光吸収係数および少数キャリアの拡散長測定のための改良型微分光電流法
- Si液相成長の溶質輸送に対する重力効果
- 1)液相成長による(InGa)P-GaAsヘテロ接合の特性(第49回 テレビジョン電子装置研究会第7回 画像表示研究会 合同研究会)
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- GaP上への格子不整合GaInP混晶層のLPE成長
- GaAsPおよびGaP基板上へのGaInP混晶のLPE成長
- 厚いZnSe層の結晶成長
- LPE成長GaAsの格子定数における不純物添加効果
- 新しいLPE法を用いたGaAs p-channel BSITの製作
- (In,Ga,Al)Sb四元混晶の低温LPE成長
- Ga-Al-Sb三元系の相図計算
- (Ga,Al)Sb on (In,Ga)Sbヘテロ接合の低温液相成長