組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
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概要
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組成変換法によるGaP基板上への任意組成のGaInP混晶の成長を目的として実験を行い、一定組成の比較的良好なGaInP変換層を得ることができた。また同時に、組成変換のメカニズムを理解するために、solid-liquid difusion modelを使った数値解析を行った。数値解析の結果は実験結果と良い一致を示し、変換の現象をよく説明できることがわかった。組成変換は溶液接触後約30分で完了し、固相組成は溶液組成で制御できることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-05-23
著者
-
田中 昭
静岡大学電子工学研究所
-
木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
-
勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
-
勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
-
元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
-
元垣内 敦司
静岡大学電子工学研究所
-
助川 徳三
静岡大学
-
助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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