助川 徳三 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学電子科学研究科・静岡大学電子工学研究所
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田中 昭
静岡大学電子工学研究所
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木村 雅和
静岡大学電子工学研究所
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勝野 廣宣
静岡大学電子工学研究所技術部
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勝野 広宣
静岡大学電子工学研究所
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助川 徳三
静岡大学
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鵜殿 治彦
静岡大学電子工学研究所
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元垣内 敦司
Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University
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元垣内 敦司
静岡大学電子工学研究所
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菅 博文
浜松ホトニクス株式会社
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菅 博文
浜松ホトニクス 開発本部
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尾関 芳孝
静岡大学電子工学研究所
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渡辺 明佳
静岡大学電子工学研究所
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中村 勤
静岡大学電子工学研究所
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斎藤 敏正
静岡大学電子工学研究所
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米山 剛
静岡大学電子工学研究所
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八木 光賢
静岡大学電子工学研究所
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中村 勤
浜松テレビ株式会社
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金井 宏
静岡大学電子工学研究所
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中村 勤
浜松ホトニクス(株)電子営第2事業部 第26部門
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萩野 実
静岡大学電子工学研究所
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村上 準也
静岡大学電子工学研究所
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梶 正憲
静岡大学大学院電子科学研究科
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梶 正憲
静岡大学電子工学研究所
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角辻 文康
静岡大学電子工学研究所
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菅 博文
静岡大学電子工学研究所
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角辻 文康
静岡大学電子工学研究所:新エネルギー・産業技術総合開発機構
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矢野 浩司
静岡大学電子科学研究科
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菅 博文
浜松テレビ株式会社
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荻野 実
静岡大学電子工学研究所
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金子 勝
静岡大学電子工学研究所
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菅 博文
浜松テレビkk
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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河合 敏昭
浜松ホトニクス
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河合 敏昭
浜ホト
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宮尾 正大
静大電子研
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所
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早川 泰弘
静岡大学電子工学研究所
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金 昌佑
静岡大学電子工学研究所
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本山 慎一
(株)新日本無線
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安藤 隆男
静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会
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加藤 裕一
静岡大学電子工学研究所
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宮尾 正大
静岡大学電子工学研究所
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杉本 喜正
日本電気株式会社光エレクトロニクス研究所
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杉本 喜正
静岡大学電子工学研究所
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水木 敏雄
静岡大学電子科学研究科
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平口 隆夫
富士通株式会社
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管 博文
静岡大学電子工学研究所
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渡邊 明佳
静岡大学電子工学研究所
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森田 寿夫
静岡大学電子工学研究所
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木村 雅和
静岡大学地域共同センター
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斎藤 敏正
静岡大学大学院電子科学研究科
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辻本 富幸
静岡大学電子工学研究所
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杉本 喜正
物材機構・ナノテク融合セ
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河合 敏昭
浜松テレビ
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水木 敏雄
シャープ株式会社
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勝野 宏宣
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 晃
静岡大学電子工学研究所
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神谷 俊幸
静岡大学大学院電子科学研究科
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神谷 俊幸
静岡大学電子工学研究所
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川口 泰彦
静岡大学電子工学研究所
著作論文
- 数値解析によるMOSSITにおけるバックゲート領域効果の検討
- 遮へいゲートSIT : その特性と設計
- pGaSb-nGa_1-xAl_xSbヘテロ接合フォトダイオード
- 均一組成Ga_In_Sbバルク混晶の引き上げ成長 : 半導体液相成長I
- 溶質供給チョクラルスキー法によるGaInSb混晶の多段引き上げ
- GaInSb混晶の均一組成バルク成長
- 29aA9 溶質供給下でのGaInSb混晶バルク成長(融液成長IV)
- GaP系NEA冷陰極
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- 組成変換法によるGaP基板上GaNの生成
- Ga_In_Sb均一組成バルク混晶の引き上げ : 溶液成長
- 組成変換法によるGaP基板上へのGaN層の形成
- GalnSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- GaInSbバルク混晶の三元溶液からの成長
- 三元溶液からのGaInSbバルク混晶の成長
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- GaAs-ZnSe-Ga_2Se_3混晶のLPE成長
- 組成変換法によるGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長と数値解析
- ZnCl_2を用いたZnSe LPE成長
- ヘテロLPE成長したGaP基板上GaAs層中の双晶発生の抑制
- 組成変換技術によるGaP基板上へのGaAsP混晶層の成長
- NEA GaP冷陰極(カソードの最近の進歩)
- GaP系冷陰極のライフテスト
- 2-3 GaPによるNEA冷陰極
- yo-yo溶質供給法を用いたGaAsの液相成長 : 半導体液相成長I
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- yo-yo溶質供給法によるGaAsの液相成長
- Si-LPE成長に及ぼす重力の影響 : 溶液成長
- 第29回結晶成長国内会議および第24回結晶成長討論会報告
- NEA冷陰極の放出電子密度分布
- 4-2 Si添加GaAs NEA光電面
- 4-4 GaP NEA素子の寿命試験
- 4-3 温度差液相成長法によるNEA-GaP冷陰極素子
- GaP基板上へのInPおよびGaInP混晶の液相成長 : 半導体液相成長II
- GaP(lll)基板上にLPE成長したGaAs層における双晶発生条件 : 薄膜成長I
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- InPおよびGaInP混晶のGaP基板上へのLPE成長
- LPE GaAs on GaPのGaAsPへの変換(II)
- LPE GaAs on GaPのAsPへの変換
- 29aA8 InP on GaP液相成長(融液成長IV)
- Ga-As-Ge溶液からのGe/GaAs連続成長
- NEAGaP表面からの放出光電子のエネルギー分布
- yo-yo溶質供給法によるGeSiバルク混晶の成長