宮尾 正大 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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宮尾 正大
静岡大学電子工学研究所
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宮尾 正大
静大電子研
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萩野 実
静岡大学電子工学研究所
-
野村 卓志
静岡大学電子工学研究所
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萩野 實
静岡大学電子工学研究所
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宮尾 正大
静岡大
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中野 昇
東大物性研
-
黒田 寛人
東大物性研
-
西村 弘志
東大物性研
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永井 俊光
静岡大学電子工学研究所
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知念 幸勇
東芝
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高田 耕治
高エネルギー加速器研究機構
-
高田 耕治
高エネルギー物理学研究所
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新垣 実
静岡大学電子工学研究所
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吉岡 正和
東大原子核研
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町屋 周宏
静岡大学電子工学研究所
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加藤 義章
阪大レーザー研究センター
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吉岡 正和
東大核研
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武藤 正文
東大核研
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設楽 哲夫
KEK-PF
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設楽 哲夫
高エネルギー加速器研究機構
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設楽 哲夫
Kek
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佐藤 勇
高エネルギー研
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八百 隆文
東北大金研
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佐藤 勇
高工研
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新竹 積
高エネルギー加速器研究機構(KEK)
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宮尾 正大
東北大通研
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菊池 浩昌
静岡大学電子工学研究所
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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高田 耕治
Kek
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高橋 正
東北大 電気通信研究所
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佐藤 勇
KEK
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福島 靖孝
KEK
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新竹 積
KEK
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松本 治
KEK
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竹田 誠之
阪大産研
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亀井 亨
高エネルギー物理学研究所
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高橋 正
東北大通研
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水野 元
高エネルギー加速器研究機構(KEK)
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高橋 正
東北大学電気通信研究所
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朱 自強
静岡大学大学院電子科学研究科
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八百 隆文
通産省工業技術院電子技術総合研究所
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助川 徳三
静岡大学電子工学研究所
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知念 幸勇
静岡大学電子工学研究所
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知念 幸勇
静岡大学大学院電子科学研究科
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鈴木 智行
ソニー株式会社
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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鈴木 智行
静岡大学電子工学研究所
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朱 自強
東北大学金属材料研究所
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朱 自強
静岡大学電子工学研究所
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川口 泰彦
静岡大学電子工学研究所
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青島 明彦
静岡大学電子工学研究所
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竹田 誠之
大阪大学産研
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福島 靖孝
高エネルギー物理学研究所
-
松本 治
高エネルギー物理学研究所
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吉岡 正和
東大原子核研究所
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黒田 寛人
東大物性研究所
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加藤 義章
阪大レーザー研
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佐藤 勇
高エネルギー物理学研究所
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新竹 積
高エネルギー物理学研究所
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中野 昇
東大物性研究所
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菊地 昌浩
静岡大学電子工学研究所
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西村 弘志
東大物性研究所
著作論文
- ZnSeのMBE成長機構
- GaAs/GaP, GaP/GaAsヘテロ接合における成長層の格子歪 : エピタキシー
- 最近のMBEとその応用
- 2a-BB-3 レーザーとフォトカソードを用いた新マイクロ波源「レーザートロン」
- ZnTeの電気的光学的諸特性
- 3-6 分子線エピタキシー法によるNEA透過型光電子放出素子
- 分子線源の設計条件について : マルチホールオリフィス分子線源の試作
- マルチホールドプラグ分子線源
- GaP (100) 表面上の吸着Cs及びCs-Oの熱脱離特性
- MBE法によるGaP上へのZnSeの成長
- NEAGaP表面からの放出光電子のエネルギー分布
- MBE法によるGaInP混晶の成長 (第26回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和60年11月6日〜8日,東京)
- GaP表面上へのアルカリ金属の吸脱着(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- 高電流短パルス電子線源への光電面の応用(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
- MBE法によるGaP基板上のGaAs成長(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)