萩野 實 | 静岡大学電子工学研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 静岡大学電子工学研究所の論文著者

関連著者

• 萩野 實

  静岡大学電子工学研究所

• 野村 卓志

  静岡大学電子工学研究所

• 宮尾 正大

  静岡大学電子工学研究所

• 宮尾 正大

  静大電子研

• 萩野 実

  静岡大学電子工学研究所

• 菊池 浩昌

  静岡大学電子工学研究所

• 永井 俊光

  静岡大学電子工学研究所

• 石川 賢司

  静岡大学電子工学研究所

• 萩野 實

  静岡大学電子工学研究所電子デバイス部門

• 野村 卓志

  Department Of Advanced Materials Science Faculty Of Engineering Kagawa University

• 吉川 昌宏

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 宮尾 正大

  静岡大

• 吉川 昌宏

  静岡大学電子工学研究所

• 朱 自強

  静岡大学電子工学研究所

• 町屋 周宏

  静岡大学電子工学研究所

• 青島 明彦

  静岡大学電子工学研究所

• 宮尾 正夫

  静岡大学電子工学研究所

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著作論文

• 最近のMBEとその応用
• GaAs/GaP(001)における成長モード遷移
• マルチホールドプラグ分子線源
• 不可視イメージデバイス材料の現状と将来
• MBE法によるGaP上へのZnSeの成長
• MBE法によるGaInP混晶の成長 (第26回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和60年11月6日〜8日,東京)
• GaP表面上へのアルカリ金属の吸脱着(速報) (第25回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス--昭和59年10月29日〜31日)
• MBEによるGaAsP混晶の成長

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