朱 自強 | 東北大学金属材料研究所
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概要
関連著者
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朱 自強
東北大学金属材料研究所
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八百 隆文
東北大学金属材料研究所
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八百 隆文
東北大 学際科学国際高等研究セ
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八百 隆文
東北大金研
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後藤 武生
東北大理
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宮尾 正大
静大電子研
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野村 卓志
静岡大学電子工学研究所
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宮尾 正大
静岡大学電子工学研究所
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萩野 実
静岡大学電子工学研究所
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八百 隆文
広島大学工学部
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八百 隆文
東北大学際セ
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八百 隆文
Center For Interdisciplinary Research Tohoku University
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KURTZ E.
東北大金研
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朱 自強
静岡大学大学院電子科学研究科
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八百 隆文
通産省工業技術院電子技術総合研究所
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Kurtz E.
Karlsruhe大
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申 猛蒸
東北大 理
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戎谷 崇
広島大学工学部
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宮尾 正大
静岡大
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クルツ 絵里
東北大学金属材料研究所
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阿部 忠由
広島大・工
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竹林 和久
広島大・工
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朱 自強
広島大・工
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八百 隆文
広島大・工
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大塚 武夫
広島大学工学部
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川又 淳二
広島大学工学部
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朱 自強
広島大学工学部
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申 猛蒸
東北大理
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朱 自強
東北大金研
著作論文
- ZnSeのMBE成長機構
- II-VI族半導体量子ドット
- 31p-YG-11 ZnSe中の単一CbSe量子ドットの発光
- 27pC4 p-CdSeの作製と評価(気相成長III)
- 27pC15 TEGa・TBAsを用いたGaAsのGS-MBE成長(気相成長IV)