熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• SiC熱分解法を用いて、6H-SiC(000-1)基板を真空中で高温加熱することにより、基板表面上に自己組織化によりカーボンナノチューブを作製した。同真空度の元、基板表面上のガス交換を抑制し、その効果について検討を行った。光学顕微鏡およびラマン測定により、ガス交換を抑制することによって、反応の均一性が妨げらることを確認した。TEM観察による抑制したものは、カーボンナノチューブが生成されていないことが分かった。つぎに、H_2ガスを注入することによる還元効果の検討を行った。TEM観察により、水素を注入することで、成長層の短縮、カーボンナノチューブの直径の縮小、先端の破壊が確認された。

• 2006-05-11

著者

• 橋本 佳孝

  静岡大学電子工学研究所

• 章 国強

  静岡大学電子工学研究所

• 中村 篤志

  静岡大学電子工学研究所

• 田中 昭

  静岡大学電子工学研究所

• 天明 二郎

  静岡大学電子工学研究所

• 章国 強

  静岡大学電子工学研究所

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