サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
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概要
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自己組織化によるZnOナノドット形成にはサイズの均一化、高密度化、配列制御といった課題があり、形成過程についても不明な点が多い。本研究では高温で熱アニールすることで形成されるサファイア基板の均一なステップに注目し、ZnOナノドットの配列制御について検討、評価した。まず熱アニールで形成されるサファイア基板上のステップ幅とステップ高さを原子間力顕微鏡(AFM)を用いて評価し、R面サファイア基板ではアニール時間が増加するとステップ幅が縮小する傾向が得られた。約180nmのステップ幅が得られたR面サファイア基板上で粒子径:55nm、高さ1.5nmのZnOナノドットの配列構造が得られた。
- 2006-05-11
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