ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_xZn_<1-x>`O混晶の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2004-01-24
著者
-
中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
-
天明 二郎
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
中村 篤志
静岡大学大学院・電子科学研究科
-
石原 純二
静岡大学電子工学研究所
-
天明 二郎
静岡大学大学院電子科学研究科
-
重盛 聡
静岡大学電子工学研究所
関連論文
- プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- エネルギー弁別X線CTによる材質識別イメージング(セキュリティカメラ,車載カメラ,サーベイランス技術,関連デバイス,および一般)
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
- 燃焼法による蛍光体の合成
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成 (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_XTe_混晶の成長
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
- ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 酸化物半導体ZnO系材料の発光デバイスへの応用
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器(画像変換技術)
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- レーザープロセスによるマルチピクセルp-i-n CdTeアレイ
- 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- エキシマレーザープロセスを用いたエネルギースペクトル計数型CdTe高エネルギー放射線イメージングデバイス
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- CdZnTe系化合物半導体を用いた放射線検出器用ダイオードの作製
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性
- 酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評価
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
- ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_xZn_`O混晶の作製
- ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMgxZn_O混晶の作製
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Znoヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_XZn_O混晶の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
- リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdTe 高エネルギー放射線イメージングデバイスによるガンマ線エネルギー弁別画像撮像
- リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
- 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成
- エネルギー弁別X線イメージング--フォトンカウンティング動作CdTe X線イメージングデバイス (特集:特殊カメラを使った画像処理)
- 20-1 波長識別機能を有する高エネルギー放射線イメージングデバイスの開発(第20部門 特殊撮像・新機能新原理のイメージセンサ)