CdZnTe系化合物半導体を用いた放射線検出器用ダイオードの作製
スポンサーリンク
概要
著者
-
中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
-
野田 大二
静岡大学電子工学研究所
-
野田 大ニ
静岡大学大学院電子科学研究科電子応用工学専攻画像電子デバイス講座
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
野田 大二
静岡大学サテライトベンチャービジネスラボラトリー
-
青木 徹[他]
静岡大学電子工学研究所
関連論文
- プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- エネルギー弁別X線CTによる材質識別イメージング(セキュリティカメラ,車載カメラ,サーベイランス技術,関連デバイス,および一般)
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
- 燃焼法による蛍光体の合成
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
- 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成 (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 電界集中係数緩和を用いた放射電流の安定化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 混晶半導体バルク結晶成長に対する重力効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_XTe_混晶の成長
- 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
- ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器(画像変換技術)
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
- レーザープロセスによるマルチピクセルp-i-n CdTeアレイ
- 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
- CdZnTe系化合物半導体のエピタキシャル成長と窒素ラジカルドーピング
- RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- エキシマレーザープロセスを用いたエネルギースペクトル計数型CdTe高エネルギー放射線イメージングデバイス
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
- CdZnTe系化合物半導体を用いた放射線検出器用ダイオードの作製
- CdZnTe系化合物半導体を用いた放射線検出器用ダイオードの作製
- リモートプラズマMOCVDによるCdZnTeのエピタキシャル成長とドーピング法
- リモートプラズマMOCVDによるCdZnTeのエピタキシャル成長とドーピング法
- リモートプラズマMOCVDによるCdZnTeのエピタキシャル成長とドーピング法
- MOCVD法におけるZnTeへのラジカル窒素ドーピング
- セレン化亜鉛結晶への高濃度ヨウ素添加
- サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性
- 酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評価
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
- ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_xZn_`O混晶の作製
- ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMgxZn_O混晶の作製
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Znoヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_XZn_O混晶の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
- リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdTe 高エネルギー放射線イメージングデバイスによるガンマ線エネルギー弁別画像撮像
- リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
- 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成