Si基板上エピタキシャルZnO薄膜の成長と励起子発光特性
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概要
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Si基板上へのZnOエピタキシャル薄膜の作製を行った。作製方法はSi基板上に電子ビーム蒸着法によりZnS薄膜をエピタキシャル成長させ、それを酸化させZnO薄膜を得るという方法である。作製したZnO薄膜はエピタキシャル成長をしており、励起子に基づく紫外発光も得られた。またこの紫外発光が強くなる条件を検討し、ZnS蒸着時の基板温度270℃、熱処理は酸素雰囲気中で720℃、少なくとも2時間行うことがほぼ最適条件であることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-14
著者
-
中西 洋一郎
静岡大学大学院工学研究科電子工学
-
小南 裕子
静岡大学大学院電子科学研究科
-
畑中 義式
静岡大学大学院電子科学研究科
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
三宅 亜紀
静岡大学電子科学研究科
-
東 直人
静岡大学工学部
-
三宅 亜紀
静岡大学大学院電子科学研究科
-
東 直人
静岡大学地域共同研究センター
-
小南 裕子
静岡大学大学院工学研究科
-
三宅 亜紀
静岡大学大学院工学系研究科
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