リモートプラズマMOCVDによるCdZnTeのエピタキシャル成長とドーピング法
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概要
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リモートプラズマ励起MOCVD法を用いてGaAs基板上に CdZnTe 薄膜の成長を行った.水素ラジカルを成長過程に導入することによりCdZnTe薄膜はエピタキシャル成長を示した.また, リモートプラズマを用いていることから窒素ラジカルドーピングが可能であり, ラジカル源にアンモニアまたは窒素と水素の混合ラジカルを用いることによりp-CdZnTe薄膜を得ることができた.成長後600℃の熱処理を行うことにより, キャリアー濃度は1.2×10^<19>cm^<-3>, 抵抗率では3.7×10^<-2>Ωcmの値のものが得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-05-22
著者
-
中西 洋一郎
静岡大学大学院工学研究科電子工学
-
野田 大二
静岡大学電子工学研究所
-
野田 大ニ
静岡大学大学院電子科学研究科電子応用工学専攻画像電子デバイス講座
-
畑中 義式
静岡大学大学院電子科学研究科
-
青木 徹
静岡大学大学院電子科学研究科
-
野田 大二
静岡大学大学院電子科学研究科
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