エキシマレーザーによるZnSeへの高濃度p型ドーピング

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概要

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エキシマレーザーを用いて表面の瞬間加熱によりドーパントを拡散することによってZnSeへの高濃度p型ドーピングを行った.ドーパント原料としてNa_2SeをZnSe上へ蒸着し, その上からKrFエキシマレーザーパルスを照射してNaドープp型ZnSe層を形成した.エキシマレーザー照射後に電気炉で550℃で10分間の熱処理を行った場合, 5×10^<19>cm^<-3>の正孔濃度および8.1cmV^<-1>S^<-1>の移動度を持つ低抵抗p型ZnSe層を形成し金電極とのオーミック接触が得られることを報告しているが.今回, 電気炉による熱処理を併用しない場合においてもドーピングは観察され, この方法を用いて作製したZnSeダイオードにおいて80Acm^<-2>程度の電流注入が可能であった.また, コンピューターシミュレーションによりエキシマレーザー照射により試料表面は約1500K温度上昇することが分かった.
社団法人映像情報メディア学会の論文
1999-01-21

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