高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究

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概要

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• リモートプラズマ励起MOCVD法を用いてCdTe基板上にp形CdZnTe、n形CdSeTe薄膜をエピタキシャル成長した。窒素ラジカルをドーパントとしてp形CdZnTe薄膜を得ることが出来、ヨウ素をドーパントとしてn形CdSeTe薄膜を得ることが出来た。これらを用いてデバイスを作製したところダイオード特性を得ることが出来、逆方向電圧250V以上の高電界をかけられる素子を作製することが出来た。また、エキシマレーザーを用いて基板側面をアブレーションし、クリーニングすることでデバイス特性を向上できることがわかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-05-12

著者

• 中村 篤志

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大学電子工学研究所

• 野田 大二

  静岡大学電子工学研究所

• 野田 大ニ

  静岡大学大学院電子科学研究科電子応用工学専攻画像電子デバイス講座

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

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