エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製

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概要

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• X線やγ線に対して高い吸収係数をもつCdTeは比較的大きいバンドギャップを持つため室温動作が可能な高エネルギー放射線検出器として有用である。本研究では、高性能な放射線画像検出器として用いるべくCdTe単結晶に対してSb, 又はInをドーパントとしてエキシマレーザ中ドーピング法を用いてM-π-nダイオードとp-i-nダイオードを作製した。さらにこのダイオードを使用して室温で放射線の検出を行った。このときの検出スペクトルの半値幅は、M-π-nダイオードではCo-57のγ線に対し122KeVの位置に置いて最小値で3.16KeVのものが得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2001-05-17

著者

• 中村 篤志

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大学電子工学研究所

• 浅野 浩司

  静岡大学電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

• Niraula Madan

  静岡大学電子科学研究科

• ニラウラ マダン

  名古屋工業大学・電気情報工学科

• Niraula M

  名古屋工大

• ニラウラ マダン

  名古屋工大 大学院

• ニラウラ マダン

  名古屋工業大学工学部

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