Zn_xCd_<1-x>O混晶のMOCVD成長と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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リモートプラズマMOCVD法を用いてZn_XCd_<1-X>O混晶を成長させた。II族の有機金属原料にはジエチル亜鉛(DEZn)とジメチルカドミウム(DMCd)を用い、II族原料流量比を変化させることによってZn_XCd_<1-X>O混晶の組成制御をした。XDR、分光透過率、PL測定の結果より、得られたZn_XCd_<1-X>O混晶はxの増加にともない間接遷移型の岩塩構造を示すZn_XCd_<1-X>O混晶から直接遷移型のウルツ鉱構造を示すZn_XCd_<1-X>O混晶へ変化することがわかった。また、Zn組成を変化させることによってバンドギャップを約1,9〜3.4eVの範囲で操作できることもわかった。その上、0.3<x<1のウルツ鉱構造の領域で直接遷移型を示すZn_XCd_<1-X>O混晶が得られることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-17
著者
-
中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
-
天明 二郎
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
中村 篤志
静岡大学大学院・電子科学研究科
-
石原 純二
静岡大学電子工学研究所
-
重盛 聡
静岡大学電子工学研究所
-
天明 二郎
静岡大学電子工学研究所:静岡大学大学院電子科学研究科
-
中村 篤志
静岡大学大学院電子科学研究科
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