エネルギー弁別X線イメージング--フォトンカウンティング動作CdTe X線イメージングデバイス (特集:特殊カメラを使った画像処理)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本工業出版の論文

著者

• 天明 二郎

  静岡大学電子工学研究所

関連論文

• SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製
• サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性
• ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成 (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
• SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
• リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
• リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
• リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
• ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 酸化物半導体ZnO系材料の発光デバイスへの応用
• リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• エキシマレーザープロセスを用いたエネルギースペクトル計数型CdTe高エネルギー放射線イメージングデバイス
• 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
• サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性
• 酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評価
• Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
• ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_xZn_`O混晶の作製
• ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMgxZn_O混晶の作製
• Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• Znoヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_XZn_O混晶の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
• リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CdTe 高エネルギー放射線イメージングデバイスによるガンマ線エネルギー弁別画像撮像
• リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
• 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 酸素リモートプラズマを用いたZnOのMOCVD成長
• 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
• 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成
• エネルギー弁別X線イメージング--フォトンカウンティング動作CdTe X線イメージングデバイス (特集:特殊カメラを使った画像処理)
• 20-1 波長識別機能を有する高エネルギー放射線イメージングデバイスの開発(第20部門 特殊撮像・新機能新原理のイメージセンサ)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク