RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_<1-x>CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• 酸化亜鉛ZnO(ウルツ鉱構造)はバンドギャップ3.3eVをもつワイドギャップ半導体であり、60meVの励起子結合エネルギーを持つため室温において高効率な発光が期待できる近紫外発光材料である。また、酸化カドミウムCdO(岩塩構造)と混晶化することで可視領域での発光が実現できる。そこで今回、非平衡度の高いRPE-MOCVD法を用いて成長温度、II族原料流量比、RF強度に注目しZn_<1-x>Cd_xO薄膜におけるCd組成xの制御を行い、その光学的特性と物理定数を評価した。ウルツ鉱構造x≒0〜0.7においてEg=3.3〜1.9eVを確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-05-11

著者

• 中村 篤志

  静岡大学電子工学研究所

• 天明 二郎

  静岡大学電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学・電子工学研究所

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

• 石原 純二

  静岡大学電子工学研究所

• 大橋 俊哉

  静岡大学電子工学研究所

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