EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• II-VI族化合物半導体CdTeは高エネルギー放射線に対して室温動作可能で高エネルギー分解能をもつ材料であることから、現在盛んに研究されている。本研究では集積形放射線画像検出器として用いるべく、パターンドーピングをするためのレーザードーピング条件を明らかにした。また、単結晶CdTe上にp形CdTe、n形CdTeをエキシマレーザーによってドーピングする事に成功した。p形ドーパントとしてNa_2Te、Sbを用い、n形ドーパントとしてInを用いた。このときのホール濃度は+1.39e+19/cm^3、電子濃度は-8.95e+19/cm^3であった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-06-16

著者

• 中村 篤志

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大学電子工学研究所

• 野田 大二

  静岡大学電子工学研究所

• 野田 大ニ

  静岡大学大学院電子科学研究科電子応用工学専攻画像電子デバイス講座

• 青木 徹

  静岡大学電子工学研究所

• Niraula Madan

  静岡大学電子科学研究科

• ニラウラ マダン

  名古屋工業大学・電気情報工学科

• Niraula M

  名古屋工大

• ニラウラ マダン

  名古屋工大 大学院

• ニラウラ マダン

  名古屋工業大学工学部

関連論文

• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• プラズマ励起化学気相堆積法により作製した水酸基終端型アモルファスTiO_X膜の親水特性
• 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• a-Si/c-Si積層構造における光電流増倍現象
• 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
• 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
• EID2000-11 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
• 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
• 有機シリコン材料からのSiC薄膜の形成
• 均質沈殿法によって合成したY_2O_3:Eu赤色蛍光体のモフォロジー及び発光特性に対する焼結の効果
• 燃焼法による蛍光体の合成
• Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成
• 低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製
• エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
• サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性
• ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
• Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
• Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
• 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
• 18-2 電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の発光特性
• 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
• 高エネルギー放射線画像検出器のためのパターンレーザードーピングの研究
• レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
• ガラス管内部形状の高精度加工 : ホロ・カソードジェット型プラズマ源の制作
• 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成 (特集 新ヘテロ界面の実現に向けた半導体結晶成長技術の進展)
• SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiC薄膜成長と水素添加熱分解法によるカーボンナノ構造(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
• 熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御
• 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_XTe_混晶の成長
• 緑発光ZnTeのn型形成のためのZnSe_xTe_混晶の成長
• Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
• Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
• Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長
• ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器(画像変換技術)
• エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器
• エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
• エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
• エキシマレーザードーピング法によるp-i-nCdTeダイオードの作製
• レーザープロセスによるマルチピクセルp-i-n CdTeアレイ
• 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
• 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
• EID2000-18 化合物半導体へのエキシマレーザードーピングと画像検出器用ピクセル化技術の基礎研究
• RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• エキシマレーザープロセスを用いたエネルギースペクトル計数型CdTe高エネルギー放射線イメージングデバイス
• 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
• 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
• 高エネルギー放射線用室温動作高分解能検出器の開発研究
• CdZnTe系化合物半導体を用いた放射線検出器用ダイオードの作製
• サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性
• 酸素リモートプラズマMOCVD法によるZnO薄膜の成長と評価
• Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
• ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_xZn_`O混晶の作製
• ZnOヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMgxZn_O混晶の作製
• Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• Znoヘテロエピタキシャル紫外発光デバイスのためのMg_XZn_O混晶の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• Zn_xCd_O混晶のMOCVD成長と発光特性
• リモートプラズマMOCVDによるZnCdO混晶の成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CdTe 高エネルギー放射線イメージングデバイスによるガンマ線エネルギー弁別画像撮像
• リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• リモートプラズマMOCVDによるZnOの成長(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
• 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 水素リモートプラズマCVD法によるZnOの成長と発光特性
• 酸化亜鉛系混晶の結晶成長とショットキー接合形成

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク