a-Si/c-Si積層構造における光電流増倍現象
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概要
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a-SiC/a-Si/a-SiN/c-Siの積層構造で光電流が量子効率6を超える光電流増倍現象が確認された。この増倍現象の入射光波長依存性やC-V特性などから、基板に用いている結晶シリコンまで空乏層が延びた状態で、しかも入射光の波長が550nm以上の場合にのみ、この増倍現象は起こるということが分かった。このデバイスの諸特性の測定結果から、光電流の増倍機構に関する考察を行った。デバイスに入射した光のうち、a-Si層を透過しシリコン基板まで達した光が、基板内でキャリアを生成し、a-SiN/a-Si界面に蓄積され、a-SiNの電界が局部的に強められa-SiNの局在準位を介してトンネリングが生じたものと考えられる。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2001-02-23
著者
-
北村 健
ミノルタ株式会社研究開発本部
-
森本 隆史
ミノルタ株式会社
-
宮武 茂博
ミノルタ株式会社
-
石田 耕一
ミノルタ株式会社
-
増田 敏
ミノルタ株式会社研究開発本部
-
奥村 佳弘
ミノルタ株式会社研究開発本部
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大
-
宮武 茂博
ミノルタ
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