12-6 バンドオフセットを持つa-Si : H系傾斜フォトダイオード

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概要

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• A high photosensitive detector has been intensively required and Avalanche photo multiplications in the detector using a-Si : H based photosensitive layer were already reported. In this report, a developed photodiode construction is proposed and some results on the photoelectric conversion characteristics and dark current origin are discussed. Although photomultiplication photocurrent was observed, dark currents were strongly influence by the fabrication process and the interface of oxide hole edge.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 1998-10-29

著者

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 奥村 佳弘

  ミノルタ株式会社研究開発本部

• 畑中 義式

  静岡大学電子工学研究所

• 畑中 義式

  静岡大

• 安藤 隆男

  静岡大学

• 安藤 隆男

  静岡大学電子工学研究所

• 安藤 隆男

  静岡大学電子工学研究所 テレビジョン学会画像入力シンポジウム実行委員会

• 安藤 隆男

  財団法人浜松地域テクノポリス推進機構浜松地域知的クラスター本部

• 澤田 和明

  豊橋技術科学大学

• 奥村 佳弘

  静岡大学電子工学研究所

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