SC-11-1 Si(111)CMOSにおけるMOSFET特性の改善(SC-11.新概念VLSI : 先進アーキテクチャ,新回路,デバイス技術)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
加藤 陶子
豊橋技術科学大学
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学
-
Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
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