シリコン基板上のエピタキシャル強誘電体薄膜と焦電型赤外線センサアレイへの応用(第6回赤外放射応用関連学会等年会)
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概要
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我々のグループでは、集積回路と強誘電体薄膜を用いた焦電型赤外線センサを一体化するため、シリコン基板上へγ-Al_2O_3薄膜をエピタキシャル成長させたγ-Al_2O_3/Si基板の利用を提案している。今回、この基板を利用して焦電型赤外線センサと読み出し回路とを一体化し、8×8および32×32画素の焦電型赤外線センサアレイを作製した。センサの比検出能D^*は1.38×10^8cmHz^<1/2>W^<-1>で、620℃の黒体炉からの熱画像の取得に成功した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2009-02-06
著者
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
澤田 和明
Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
赤井 大輔
豊橋技術科学大学VBL
-
河津 直樹
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
菅井 隆博
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
-
Ishida M
Intelligent Sensing System Research Centor Toyohashi University Of Technology
-
Ishida M
Univ. Tsukuba Tsukuba Jpn
-
Ishida Masayoshi
Institute Of Engineering Mechanics And Systems University Of Tsukuba
-
Ishida M
Institute Of Applied Physics Crest Japan Science And Technology Corporation University Of Tsukuba
-
石田 誠
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
-
赤井 大輔
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
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