a-Siアバランシェ増幅型光電変換膜積層型イメージセンサのCMOS読み出し回路の検討
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概要
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次世代型イメージセンサとしてより高感度、高解像度の固体撮像素子が依然求められている。我々はアバランシェ増幅型光電変換膜をCMOS読み出し回路上へ積層することで要求を満たすことができると考えている。しかし、光電変換膜においてアバランシェ増倍を生じさせるためには、高電圧を印加する必要がある。そのため、積層構造化に伴う印加電圧の回路への影響が考えられる。そこで、シミュレーション、試作素子による測定を行い、印加電圧による影響を調査した。その結果、読み出し回路に影響を及ぼさないことを確認した。また光電変換膜に印加される電圧により増幅率が変化する。これにより読み出し回路において、γ値が変化することが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-14
著者
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
足木 光昭
豊橋技術科学大学工学部電気電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学
-
秋山 正弘
電気電子工学科
-
花田 昌樹
豊橋技術科学大学 電子・情報工学専攻
-
足木 光昭
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
秋山 正弘
豊橋技術科学大学 電子・情報工学専攻
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