CMOSとの集積化に適したJFET素子と低雑音増幅回路の形成(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
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概要
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本研究では、標準CMOSに近い工程で実現可能な低雑音トランジスタとしてこのJFETに着目し、これをCMOSと同一基板内に集積化してセンサインターフェース用低雑音増幅器の構成要素とする。JFETはMOSFETと異なり、半導体内部の導電性を制御する素子であるため、界面付近の準位の影響を受けず、1/f雑音が小さいと考えられている。また、ゲート入力インピーダンスも十分高く、増幅器の入力素子として有利である。 CMOSと同じ基板中に低雑音のJFETが形成できれば、それを要部に用いた低雑音増幅回路を形成することが可能となる。本稿ではこのCMOSとの混載に適したJFET形成技術とその試作結果、雑音特性の評価結果とセンサインターフェースヘの適用について述べる。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2002-09-26
著者
-
川人 祥二
静岡大学 電子工学研究所
-
川人 祥二
豊橋技術科学大学
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
石田 誠
豊橋技術科学大学
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学
-
高尾 英邦
豊橋技術科学大学
-
伊藤 芳晃
豊橋技術科学大学工学部電気・電子工学系
-
浅岡 力也
豊橋技術科学大学工学部
-
浅岡 力也
豊橋技術科学大学 工学部 電気・電子工学系
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