標準CMOSイメージセンサプロセスを用いた2段電荷転送型グローバル電子シャッタ(学生・若手研究会)
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概要
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本稿では,CMOSイメージセンサにおいて,グローバル電子シャッタを備えかつ低ノイズを実現できる新しい画素構造について述べる.提案する2段転送型グローバル電子シャッタは,異なる電位を持つ埋め込み型ダイオードを利用し,2段に電荷転送を行う.これにより,リセットノイズの除去および低暗電流特性が得られ,従来構造よりも大幅な低ノイズ化が可能となる.試作した高速度イメージセンサでは,スリット型フォトダイオードを用いることで,標準CMOSイメージセンサプロセスにおいて提案する画素構造を実現した.測定の結果,画素レベルでの入力換算ノイズは6.3電子であり,従来のグローバル電子シャッタ画素の3から4倍程度ノイズレベルを減少させることに成功した.また,低照度において,センサ出力が良好な線形性を示し,完全電荷転送がなされていることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-12-04
著者
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究所
-
川人 祥二
静大・電研
-
川人 祥二
静岡大学 電子工学研究所
-
川人 祥二
静岡大学
-
安富 啓太
静岡大学大学院自然科学系教育部
-
伊藤 真也
静岡大学電子工学研究所
-
安富 啓太
静岡大学電子工学研究所
-
田村 俊博
株式会社フォトロン
-
Kawahito Shoji
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
伊藤 真也
静岡大学 電子工学研究所
-
安富 啓太
静岡大学工学部
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