CMOS-SOI技術を用いた集積化アクティブ磁界プローブ(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
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概要
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CMOS-SOI(Silicon On Insulator)プロセスを用いて、近傍磁界計測のための新しいタイプの磁気プローブを開発した。高感度、高空間分解能を目的として、検出コイル、2段差動アンプ、差動-シングルエンド変換回路、出力バッファを1つのチップに集積化した。また、本プローブでは検出コイルを差動構造とし、差動-シングルエンド変換回路に高い同相信号除去特性を持たせることで、放射電磁波から電界成分を除去し、磁界成分を選択的に検出する。試作したプローブの測定結果から、オンチップアンプによる感度の向上、回路方式による電界成分の抑制、およびV_<com>切り替えによるプローブのスイッチング動作を確認し、本プローブの近傍磁界計測用プローブとしての有効性を示すことができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-07-08
著者
-
山口 正洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
川人 祥二
静岡大学電子工学研究所
-
青山 聡
(株)ブルックマン テクノロジ
-
青山 聡
静岡大学電子工学研究所
-
安井 健史
東北大学大学院工学研究科
-
山口 正洋
東北大・工
-
山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
-
山口 正洋
東北大学大学院
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