山口 正洋 | 東大 大学院医学系研究科
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概要
関連著者
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山口 正洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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荒井 賢一
東北大学電気通信研究所
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山口 正洋
東北大・工
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山口 正洋
東北大学電気通信研究所
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島田 寛
東北大学大学院工学研究科
-
島田 寛
東北大科研
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馬場 誠
東北大・通研
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山口 正洋
東北大学工学部
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伊東 健治
三菱電機株式会社
-
伊東 健治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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山口 正洋
東北大通研
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荒井 賢一
東北大通研
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末沢 健吉
東北大学電気通信研究所
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島田 寛
東北大・多元研
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菊地 新喜
東北学院大学工学部
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島田 寛
東北大学工学研究科電気通信工学専攻
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山口 正洋
東北大学 大学院工学研究科
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伊東 健治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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芳賀 昭
東北学院大
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高橋 祐一
東北学院大学工学部
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鳥塚 英樹
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
-
丸田 佳織
三菱総合研究所
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吉田 栄吉
NEC トーキン(株)
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川人 祥二
静岡大学電子工学研究所
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川人 祥二
静大・電研
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石山 和志
東北大学電気通信研究所
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菊池 弘昭
東北大学電気通信研究所
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島田 寛
東北大学科学計測研究所 磁気機能計測研究分野
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遠藤 恭
東北大学
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青山 聡
(株)ブルックマン テクノロジ
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北上 修
東北大学多元物質科学研究所
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竹澤 昌晃
九州工業大学
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遠藤 恭
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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増田 則夫
日本電気株式会社 生産技術研究所
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室賀 翔
東北大学工学研究科
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田邉 信二
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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栗山 敏秀
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
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岡本 聡
東北大学多元物質科学研究所
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川人 祥二
静岡大学 電子工学研究所
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島田 寛
東北大学工学部
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八木 正昭
崇城大学
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竹澤 昌晃
東北大学電気通信研究所
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八木 正昭
崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所
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中居 倫夫
宮城県産業技術総合センター
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上西 克二
凌和電子株式会社
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小屋 祥太
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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青山 聡
静岡大学電子工学研究所
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菊池 弘昭
東北大通研
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菊池 弘昭
岩手大学工学部附属金属材料保全工学研究センター
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三束 芳央
東北大学
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小屋 祥太
東北大学
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宗像 誠
崇城大学
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青山 聡
静岡大学 電子科学研究科
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川人 祥二
静岡大学
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大内 一弘
秋田県高度技術研究所
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山川 清志
秋田県高度技術研究所
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鈴木 哲
仙台電波工業高等専門学校
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伊東 健治
三菱電機
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仙道 雅彦
東北大学電気通信研究所
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玉置 尚哉
日本電気(株)
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増田 則夫
日本電気(株)
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塩澤 誠一
東北大学大学院工学研究科
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難波 志織
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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本間 尚文
東北大学大学院情報科学研究科
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青木 孝文
東北大学大学院情報科学研究科
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佐藤 証
独立行政法人産業技術総合研究所情報セキュリティ研究センター
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青木 孝文
東北大学 大学院情報科学研究科
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佐藤 敏郎
信州大学スピンデバイステクノロジーセンター
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安井 健史
東北大学大学院工学研究科
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佐藤 敏郎
信州大学工学部
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山沢 清人
信州大学工学部
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安道 徳昭
日本電気株式会社
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阿部 宏之
宮城県産業技術総合センター
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鈴木 和彦
北習志野花輪病院整形外科
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鈴木 哲
仙台電波高専
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菅原 健
東北大学大学院情報科学研究科
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伊藤 哲夫
Necトーキン(株)
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竹澤 昌晃
九工大
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佐藤 証
産業技術総合研究所
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栗山 敏秀
日本電気(株)
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Yan Zhuang
Delft University of Technology
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Marina Vroubel
Delft University of Technology
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Behzad Rejaei
Delft University of Technology
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小舘 航
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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石原 昇
東京工業大学総合研究院
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山崎 二郎
九州工業大学
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菊池 隼人
東北大学大学院工学研究科
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丸田 佳織
東北大学
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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安道 徳昭
日本電気(株)生産技術研究所
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中川 英之
東北大・通研
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中川 英之
東北大学電気通信研究所
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伊東 健治
三菱電機(株) モバイルターミナル製作所
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及川 勝成
東北大学大学院工学研究科金属フロンティア工学専攻
-
及川 勝成
東北大学工学研究科
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大橋 啓之
日本電気(株)
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大橋 啓之
NEC
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山崎 彩
東北大学電気通信研究所
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馬渡 宏
東北大学電気通信研究所
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茶谷 健一
Necトーキン
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斉藤 信作
日本電気(株)
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八木 正昭
崇城大学 エネルギーエレクトロニクス研究所
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石山 和志
東北大通研
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島田 寛
東北大学 多元物質科学研究所
-
島田 寛
東北大学多元物質科学研究所
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斎藤 信作
Nec
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斎藤 美紀子
早稲田大学
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齋藤 美紀子
Nec・機能エレクトロニクス研究所
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遠藤 恭
東北大学工学研究科電気通信工学専攻
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稲垣 孝嘉
東北大学
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加藤 邦男
早大
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伊藤 哲夫
東北学院大学大学院工学研究科
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栗山 敏秀
日本電気株式会社
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宗像 誠
崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所
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増田 則夫
NEC
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卜 金清
東北大学
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Kawahito Shoji
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Ki Hyeon
Dept. of Physics, Yeungnam University
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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杉山 進
立命館大学理工学部
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野村 貴美
東京大学大学院工学系研究科
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三谷 英夫
東北大学大学院歯学研究科発達加齢・保健歯科学講座 顎発達・咬合形成学分野
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三谷 英夫
東北大学 大学院歯学研究科 発達加齢・保健歯科学講座 顎発達・咬合形成学分野
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佐々木 義人
アルプス電気(株)
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畑内 隆史
アルプス電気(株)
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三谷 英夫
東北大学
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三谷 英夫
東北大学歯学部
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三谷 英夫
東北大学大学院歯学研究科
-
三谷 英夫
東北大学歯学部発達加齢・保健歯科学講座顎発達・咬合形成学講座
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早瀬 敏幸
東北大学流体科学研究所附属流体融合研究センター
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佐々木 義人
アルプス電気
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佐藤 敏郎
信州大学
-
畑内 隆史
アルプス電気
-
畑内 隆史
アルプス電気(株)中央研究所
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北上 修
東北大多元研
-
岡本 聡
東北大多元研
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Qin G.
東北大学大学院工学研究科電気通信工学専攻
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QIN G.
東北大学工学研究科
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北上 修
東北大学 多元研
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斎藤 美紀子
NEC
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栗山 敏秀
日本電気・マイクロエレクトロニクス研究所
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三浦 義正
信州大学工学部
-
藪上 信
東北大学電気通信研究所
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遠矢 弘和
NEC
-
三谷 英夫
東北大歯・矯正
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
-
斎藤 美紀子
NEC機能デバイス研究所
-
大橋 啓之
NEC機能デバイス研究所
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山口 正洋
東京大学大学院
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我妻 成人
東北大学電気通信研究所
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竹澤 昌晃
東北大通研
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中川 英之
東北大通研
-
我妻 成人
東北大通研
-
山崎 二郎
九工大
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久住 孝幸
秋田県産業技術総合研究センタ
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深道 和明
東北大学 多元物質科学研究所
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鈴木 圭
東京大学 大学院工学系研究科
-
及川 勝成
東北大学大学院工学研究科
-
斉藤 信作
Nec デバイスプラットフォーム研
-
今野 陽介
NEC-TOKIN
-
松元 裕之
NEC-TOKIN
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吉田 栄吉
NEC-TOKIN
-
鈴木 充
東北大学工学研究科
-
稲垣 孝嘉
東北大学工学研究科
-
三束 芳央
東北大学工学研究科
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KUEPFERLING M.
INRIM
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PASQUALE M.
INRIM
-
BERTOTTI G.
INRIM
-
OLIVETTI E.
INRIM
-
COISSON M.
INRIM
-
CELEGATO F.
INRIM
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SERRANO-GUISAN S.
PTB
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SCHUMACHER H.
PTB
-
KABOS P.
NIST
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野村 貴美
東大 大学院工学系研究科
-
吉田 栄吉
株式会社トーキン 応用製品開発部
-
安藤 慎輔
株式会社トーキン 応用製品開発部
-
野村 貴美
東京大学 大学院工学系研究科
-
サンディープ ドゥンガナ
東北大学大学院工学研究科
-
ロ エン
東北大学
-
石井 豪
東北大学大学院工学研究科
-
金高 弘恭
東北大学大学院歯学研究科
-
栗山 敏秀
Nec実装研
-
山本 知広
信州大学工学部
-
中山 英俊
長野高専
-
加藤 邦男
日本電気(株)
-
安道 徳昭
NEC
-
玉置 尚哉
NEC
-
加藤 邦男
NEC
-
佐藤 尚之
(株)トーキン
-
佐藤 徳之
東北大学工学部
-
曽根原 誠
信州大学工学部電気電子工学科
-
小林 翔一
東北大学
-
KIM Ki
Yeungnam University
-
ZHUANG Yan
Delft University of Technology
-
VROUBEL Marina
Delft University of Technology
-
REJAEI Behzad
Delft University of Technology
-
室賀 翔
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
著作論文
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作(放送/一般)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブの開発(EMC 一般)
- B-4-46 RF集積化マイクロ磁界プローブを用いた伝送線路の近傍磁界計測(B-4.環境電磁工学,一般講演)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた伝送線路からの放射磁界計測
- 高感度集積化磁界プローブによる高周波磁気イメージング
- 高感度集積化磁界プローブによる高周波磁気イメージング(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般)
- 高感度アクティブ磁界プローブによる2次元ノイズマッピング
- CMOS-SOI技術を用いた集積化アクティブ磁界プローブ(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 複合構造を持つ軟磁性微粒子の初透磁率(薄膜・微粒子・多層膜・人工格子)
- 微粒子の透磁率と複合化の効果
- サブミクロン微粒子の合成と高周波材料への応用
- 複合微粒子集合体の初透磁率(Selected Papers from the Fourth International Workshop on High Frequency Micromagnetic Devices and Materials(MMDM4))
- Fe系微粒子材料の高透磁率化
- LC共振を利用した高感度薄膜磁気センサの可能性 (センサ)
- LC共振を利用した高感度薄膜磁気センサの可能性
- 匂い経験で新しくなる嗅覚系の神経細胞
- サブμmアモルファス微粒子の合成と軟磁性
- リフトオフ法によるAl/NiFe多層構造コプレーナ線路の試作と特性評価
- 半導体素子レベル低ノイズ化を目的としたオンチップ伝送線路における磁性薄膜電磁ノイズ抑制体の基礎特性評価(EMC一般)
- 異なるCPW-FMR測定によるNi-Fe薄膜のダンピング定数に関する研究
- CPW-FMR測定による磁性薄膜のダンピング定数に関する研究
- 長時間鍛造した偏平状センダスト粉末・ポリマー複合体のマイクロ波帯透磁率
- 磁性薄膜を用いた暗号LSIのサイドチャンネルアタック抑制法とその効果検証
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた暗号LSIの近傍磁界計測(放送/一般)
- 電磁界解析と透磁率解析を連成させたDC-DCコンバータ用パワーインダクタの磁気特性モデリング
- DC-DCコンバータ用マイクロパワーインダクタの高効率低背化に関する検討
- SB-2-1 薄膜シールディドループコイルによる配線上の磁界計測
- 2μmグランド開口を有する高周波磁界センサー用微小ループコイルの試作
- C-2-60 Cu/Co_Zr_2Nb_多層膜構造によるスパイラルインダクタの高Q化(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 薄膜円盤モデルにおける渦電流損失解析とその電磁ノイズ抑制体への適用方法に関する考察
- C-2-67 負の透磁率を用いた表皮効果抑制の実験的検証(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-66 導体/磁性体多層膜によるマイクロ波帯における表皮効果抑制(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- チップサービスを用いた伝送線路の特性と集積化磁性流体の伝送特性に与える影響
- 負の透磁率による高周波導体抵抗の低減に関する研究
- 薄膜ノイズ抑制体を模擬した円盤モデルにおける渦電流損失の周波数特性(回路/デバイス/一般-若手研究者発表会)
- フリップチップ接続を有する近傍磁界計測用薄膜微小シールディドループプローブ(マイクロ波,ミリ波)
- 薄膜磁界プローブの開発
- 薄膜シールディドループプローブによる高密度プリント配線基板の磁界計測
- 改良型薄膜シールディドループコイルの試作と特性
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた暗号LSIの近傍磁界計測(放送/一般)
- MSLモデルに基づいた液晶パネルのソースバスライン電流解析
- CoFeBアモルファス金属磁性膜を用いたGHz帯用薄膜コプレーナ伝送線路の試作
- 小型磁界センサとLSIへの応用
- 全自動1MHz-3GHz薄膜透磁率測定装置の開発
- Si-MMIC用GHz帯磁性薄膜インダクタの低損失化
- Fe-Al-Oグラニュラ膜の微細パターン化による磁気特性の制御
- 携帯機器用GHz駆動薄膜インダクタの試作
- Si-MMIC用GHz帯磁性薄膜インダクタの低損失化
- Fe-Al-Oグラニュラ膜の微細加工による磁気特性の制御
- Fe-Al-Oグラニュラー膜の微細パターン化による磁気特性の制御と薄膜インダクタへの適用
- Si-MMIC用薄膜インダクタにおける磁性膜の異方性制御と低損失化
- 携帯機器用GHz駆動磁性薄膜インダクタ
- グラニュラー高電気抵抗膜の磁気異方性と高周波損失
- 近傍磁界計測による液晶ドライバICの高周波電流推定(放送/一般)
- 近傍磁界計測による液晶ドライバICの高周波電流推定(放送/一般)
- B-4-55 LSIチップ内の非接触高周波電流波形観測(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- 高周波マイクロ磁気デバイス用Mn-Ir/Fe-Si交換結合膜の作製と特性評価(ソフト磁性材料)
- 多層平面コイルを用いた高周波磁気計測-高周波透磁率計測から, 2D電磁雑音マッピング, LSI電流計測まで-
- オンチップ薄膜電磁ノイズ抑制体における損失極大周波数の反磁界による制御
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作
- 面内および面直方向の渦電流分布を考慮した薄膜電磁ノイズ抑制体の損失計算
- RF集積化インダクタの漂遊容量
- 二方向マイクロパターン化磁性膜を用いたRF集積化インダクタ
- RF集積化インダクタの漂遊容量
- 二方向パターン化膜を用いたRF集積化インダクタ
- RF集積化インダクタ用CoNbZr膜の微細寸法設計
- RF集積化インダクタにおける二方向マイクロパターン化膜の効果
- CoNbZr薄膜を用いたGHz帯薄膜インダクタ
- 磁性膜の微細パターン化による磁気異方性の制御
- 微細パターン化磁性膜と平坦化処理プロセスを適用したRF集積化インダクタ
- RF磁性薄膜インダクタの等価回路計算
- CoNbZr薄膜を用いたGHz帯薄膜インダクタ
- 微細パターン化による磁性膜の高周波磁気特性の制御
- 高電気抵抗グラニュラ膜の微細パターン化とそのGHzインダクタへの適用
- (CoFeB)-(SiO_2)系GHz薄膜磁心の高電気抵抗化 : ソフト磁性材料
- (CoFeB)-(SiO_2) 超高電気抵抗膜の軟磁気特性と高周波透磁率
- (CoFeB)-(SiO_2)系GHz薄膜磁心の高電気抵抗化
- 磁性薄膜によるICチップのRF電磁ノイズ抑制効果
- 薄膜シールディドループコイルの開発と集積回路の近傍磁界計測
- 薄膜シールディドループコイルによる近傍磁界計測
- 薄膜電磁ノイズ抑制体における最適シート抵抗発現機構に関する考察
- B-4-88 薄膜集積型RFノイズ抑制体における渦電流損失解析(B-4.環境電磁工学,一般講演)
- 薄膜集積型RFノイズ抑制体の効果的利用法に関する考察(サブミリ波技術/マイクロ波電力応用/一般)
- 薄膜集積型RFノイズ抑制体の効果的利用法に関する考察(サブミリ波技術/マイクロ波電力応用/一般)
- 薄膜集積型RFノイズ抑制体の効果的利用法に関する考察
- パターン化磁性薄膜を用いたRF集積化インダクタにおける共振・共鳴現象の解析
- C-2-41 LTCC技術を用いた感温型高周波アッテネータの開発(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- RF強磁性薄膜インダクタにおけるパターン化磁性膜の配置とその高周波特性
- CPW線路を用いた20GHz帯における透磁率測定の試み
- 3^ International Workshop on High Frequency Micromagnetic Devices and Materilas (MMDM3)報告(学会・研究会報告, 情報の広場)
- 磁性薄膜を用いた電磁ノイズ抑制体におけるシート抵抗の影響(生体EMC/一般)
- C-12-26 FeCoB磁性薄膜を用いたRF集積化インダクタ(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- B-4-51 ノイズ抑制シートのFEM特性評価シミュレーション(B-4. 環境電磁工学, 通信1)
- EMCと磁気応用IV : マイクロEMC
- スリットパターン化したCoFeB/SiO_2膜の異方性磁界
- RF電磁ノイズ抑制体の動作機構シミュレーション
- RF磁性薄膜インダクタの閉磁路化プロセス
- 複合マイクロパターン化磁性膜
- 高飽和磁化bcc-FeCo相を含む(FeCo)-(SiO_2)膜の磁気特性とGHz透磁率特性
- EMCと磁気応用I : シールディドループコイルを用いた高周波磁界計測(連載講座)
- RF集積化マイクロ磁気デバイス(特別ワークショップ「RFマイクロエレクトロニクス」)
- 「PERMEAMETER PMM-9G1」 : 複素透磁率を9GHzまで測定可能な装置(新技術・新製品)
- コプレーナ配置した薄膜磁石バイアス構造を有する高周波キャリア型磁界センサ
- 総論
- 《第3回》プリント基板近傍の磁界計測
- C-7-7 Shielded loop coil の等価回路モデルに基づく比透磁率算出式
- コプレーナ配置した薄膜磁石バイアス構造を有する高周波キャリア型磁界センサ
- マイクロパターン化されたCoZrNb磁性膜の磁区観察
- マイクロスケールのEMC対策技術と材料評価技術
- 高周波キャリア型磁界センサにおける傾斜磁区制御方法とインピーダンス特性
- マイクロパターン化磁性膜の実効透磁率のシミュレーション(磁気応用)
- マイクロ波測定用プローブを用いたコプレーナ型高周波キャリア型磁界センサの特性評価(センサ・計測)
- 超高感度交流磁界計測のための高周波キャリア型薄膜磁界センサの設計(センサ・計測)
- 高異方性磁界を持つCo-Fe-B系軟磁性膜のGHz帯透磁率特性(ソフト磁性材料)
- B-4-70 シールディド・ループコイルの高周波特性と等価回路モデル
- C-7-7 ヘッドアーム上における伝送線路の高周波特性評価
- 総論 (特集 高周波マイクロ磁気デバイスの進展)
- 磁気ヘッド用高周波配線の特性評価
- Co-Fe-B系軟磁性膜の異方性磁界とGHz帯透磁率特性
- 磁性膜のスリット加工による形状異方性制御における加工形状と磁気特性の関係のシミュレーション
- 磁気ヘッド用RWワイヤの高周波特性評価
- 磁気ヘッド用RWワイヤの高周波特性評価
- 3235 交流磁性マーカによる磁界発生実験
- 高異方性磁界を持つCo-Fe-B系軟磁性膜のGHz帯透磁率特性
- 超高周波透磁率測定装置の開発
- マイクロ波測定用プローブを用いたコプレーナ型高周波キャリア型磁界センサの特性評価
- ワイヤレス交流磁性マーカの作製
- 微小幅高周波キャリア型磁界センサ薄膜の磁化過程
- マイクロパターン化磁性膜の実効静的透磁率
- 医療福祉分野におけるマイクロ磁気技術の未来像
- 高異方性磁界を有する(CoFeB)-(SiO_2)系アモルファス膜の高周波磁気特性
- 小形交流磁性マーカの作製
- スパイラル型磁気マイクロマシンの始動特性 : モータ・アクチュエータ
- 2個の永久磁石を用いた顎運動計測システムの試作 : 生体磁気
- 搬送波抑制回路を用いた高周波キャリア型薄膜磁界センサの交流磁界検出感度 : センサ・計測
- 準マイクロ波帯用電磁ノイズ対策材料
- RF 集積化磁性薄膜インダクタ
- 進行波型薄膜透磁率測定装置の開発
- RF集積化磁性薄膜インダクタの等価回路解析
- 「マイクロ磁気デバイスのシステム化調査専門委員会」解散報告 : マイクロ磁気デバイスの最前線
- 磁性薄膜のマイクロマシンへの応用 (特集 マイクロマシンと材料)
- 高周波キャリア型薄膜磁界センサによるEMC計測
- GHz帯における高周波キャリア型薄膜磁界センサの動作特性解析
- 泳動型磁気マイクロマシンの始動特性
- 共鳴損失による高周波キャリア型磁界センサの感度向上
- 搬送波抑制回路を用いた微小交流磁界計測
- 微小な永久磁石を用いた位置検出システムの位置精度
- 小形交流磁性マーカの設計と応用
- 2ポート型集積化磁性薄膜インダクタの特性
- 集積化スパイラルインダクタの高Q化
- A-1-10 CMOS高周波磁気イメージセンサに関する検討
- リフトオフプロセスによる高周波キャリア型薄膜磁界センサ
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜における透磁率の膜厚依存性と基板の影響
- 高周波集積化インダクタの研究動向
- コプレーナ構造の地導体面を有するRF集積化インダクタ
- 直接通電による磁性薄膜の高周波透磁率測定
- LC共振を用いた無配線交流磁性マーカの最適化に関する考察
- スパイラル型磁気マイクロマシンの始動特性
- LC共振を用いた生体位置検出用交流磁性マーカの設計と試作
- 多層平面コイルによるRF磁界計測
- シールディッドループ型マイクロプローブの開発と応用
- 二元同時スパッタ法で作製した(CoFeB)-(SiO_2)高電気抵抗膜のGHz透磁率特性
- 1 GHz付近における(CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜の高周波透磁率特性
- 直接通電による短冊薄膜の高周波透磁率計測
- GHz帯高周波キヤリア型薄膜磁界センサの高感度化
- リフトオフプロセスによる高周波キャリア型磁界センサ
- 共振回路を用いた交流磁性マーカ
- キャリアサプレス回路による検出磁界分解能向上の検討
- 1302 医用応用を目的とした磁気マイクロマシンシステムの開発
- LIGAプロセスによる高周波厚膜磁心の製作に関する研究
- CoAlPdO高電気抵抗膜の特性とRF集積化インダクタへの応用の可能性
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜のGHz透磁率特性
- IEEE International Microwave Symposium におけるRF集積化インダクタの研究動向
- 複数磁気マーカの位置検出システムと検出位置精度
- 高周波キャリア型微細薄膜磁界センサの動作
- 10^Tesla 台の磁界検出分解能を持つ高周波キャリア型薄膜磁界センサ
- RF集積化インダクタの局部寸法設計に関する考察
- (CoFeB)-(SiO_2)系アモルファス高電気抵抗膜の高周波特性とGHz帯インダクタへの応用
- 高周波キャリア型薄膜磁界センサの小形化の検討
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜の高周波透磁率特性
- 130 発振型小形高効率磁性マーカの試作
- 高周波磁気計測用多層平面コイルとその応用
- 高周波電磁計測技術総論〜材料評価技術の最前線からマイクロEMCまで〜
- GHz帯における高周波キャリア型薄膜磁界センサ
- 東北大学電気通信研究所荒井研究室
- 「マイクロ磁気デバイス・磁気マイクロマシン」特集号によせて
- 磁性薄膜の透磁率校正法および測定限界
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜の高周波透磁率特性とGHz帯インダクタへの応用
- 高周波キャリア型薄膜磁界センサの積層化による磁区構造制御
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜の高周波透磁率特性
- 磁気マーカによる位置検出シムテム
- 高周波キャリア型薄膜磁界センサの小形化の検討
- 微細な磁性薄膜の高周波透磁率計測
- 磁気マーカによる3次元モーションキャプチャシステムの試作
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