馬場 誠 | 東北大・通研
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概要
関連著者
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馬場 誠
東北大・通研
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山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
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芳賀 昭
東北学院大
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芳賀 昭
東北学院大学
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荒井 賢一
東北大学電気通信研究所
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茂泉 孝
東北学院大
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馬場 誠
東北大学電気通信研究所
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伊東 健治
三菱電機株式会社
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伊東 健治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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山口 正洋
東北大学電気通信研究所
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田邊 信二
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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田邉 信二
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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伊東 健治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山口 正洋
東北大通研
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荒井 賢一
東北大通研
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末沢 健吉
東北大学電気通信研究所
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馬場 誠
東北大通研
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末永 健吉
東北大学通研
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大平 祐史
東北学院大学工学部
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田邉 信二
三菱電機(株)材料デバイス研究所
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田邉 信二
三菱電機(株)
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島田 寛
東北大科研
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田邉 信二
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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若生 直樹
トーキン
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末沢 健吉
東北大通研
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若生 直樹
株式会社トーキン商品開発研究所
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荒井 賢一
東北大学・電気通信研究所
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本山 真潮
デルタワークス
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島田 寛
東北大学・多元物質研究所
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山口 正洋
東北大学・電気通信研究所
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馬場 誠
東北大学・電気通信研究所
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阿部 岩男
(株)トーキン
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馬場 誠
東北大学 電気通信研究所
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田邉 信二
三菱電機株式会社
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山口 正洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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伊東 健治
三菱電機
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竹澤 昌晃
東北大学電気通信研究所
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佐藤 尚之
(株)トーキン
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栗原 崇
東北大学大学院工学研究科
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島田 寛
東北大・科学計測研究所
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馬場 誠
東北大・電気通信研究所
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山口 正洋
東北大・電気通信研究所
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荒井 賢一
東北大・電気通信研究所
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宗像 誠
熊本工業大学
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八木 正昭
熊本工業大学
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田邉 信二
三菱電機
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山口 正洋
東北大学 大学院工学研究科
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伊東 健治
三菱電機(株) モバイルターミナル製作所
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竹澤 昌晃
東北大通研
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島田 寛
東北大学科学計測研究所 磁気機能計測研究分野
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高橋 祐一
東北学院大学工学部
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菊地 新喜
東北学院大学工学部
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荒井 賢一
東北大学 電気通信研究所
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山口 正洋
東北大学
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荒井 賢一
東北大学
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宗像 誠
崇城大・エネルギーエレクトロニクス研究所
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菊池 新喜
東北学院大学工学部
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八木 正昭
崇城大・エネルギーエレクトロニクス研究所
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竹澤 昌晃
東北大学 電気通信研究所
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阿部 岩男
トーキン
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島田 寛
東北大学科学計測研究所
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杉山 進
立命館大学理工学部
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島田 寛
東北大学大学院工学研究科
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金 栄学
韓国釜慶大学電気工学科
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杉山 進
立命館大学 立命館グローバル・イノベーション研究機構
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若生 直樹
(株)トーキン、技術開発本部
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八木 正昭
崇城大学(旧名熊本工業大学)エネルギーエレクトロニクス研究所
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上野 洋
立命館大学
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八木 正昭
崇城大学(旧名 熊本工業大学)
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若生 直樹
Necトーキン株式会社
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若生 直樹
(株)トーキン技術開発本部第2技術開発部
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島田 寛
東北大学
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宗像 誠
崇城大学(旧熊本工業大学)・エネルギーエレクトロニクス研究所
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栗原 崇
東北大学電気通信研究所
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山口 正洋
東北大・通研
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栗原 崇
東北大・通研
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荒井 賢一
東北大・通研
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宗像 誠
崇城大学・エネルギーエレクトロニクス研究所
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八木 正昭
崇城大学・エネルギーエレクトロニクス研究所
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瀧本 晋輔
立命館大学
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宗像 誠
熊工大・エネルギーエレクトロニクス研究所
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八木 正昭
熊工大・エネルギーエレクトロニクス研究所
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山口 正洋
東北大 通研
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荒井 賢一
東北大 通研
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金 栄学
東北大学 電気通信研究所
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石山 和志
東北大学 電気通信研究所
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師岡 ケイ子
東北大学電気通信研究所
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佐藤 尚之
トーキン
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佐藤 尚之
株式会社トーキン
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阿部 岩男
株式会社トーキン
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栗原 崇
東北大・工
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金栄 学
韓国釜慶大学電気工学科
-
杉山 進
立命館大学
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石山 和志
東北大学 通研
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馬場 誠
東北大
-
山口 正洋
東北大
著作論文
- RF集積化インダクタの漂遊容量
- 二方向マイクロパターン化磁性膜を用いたRF集積化インダクタ
- RF集積化インダクタの漂遊容量
- 二方向パターン化膜を用いたRF集積化インダクタ
- RF集積化インダクタ用CoNbZr膜の微細寸法設計
- RF集積化インダクタにおける二方向マイクロパターン化膜の効果
- CoNbZr薄膜を用いたGHz帯薄膜インダクタ
- 微細パターン化磁性膜と平坦化処理プロセスを適用したRF集積化インダクタ
- RF磁性薄膜インダクタの等価回路計算
- CoNbZr薄膜を用いたGHz帯薄膜インダクタ
- 2ポート型集積化磁性薄膜インダクタの特性
- 集積化スパイラルインダクタの高Q化
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜における透磁率の膜厚依存性と基板の影響
- コプレーナ構造の地導体面を有するRF集積化インダクタ
- 二元同時スパッタ法で作製した(CoFeB)-(SiO_2)高電気抵抗膜のGHz透磁率特性
- 1 GHz付近における(CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜の高周波透磁率特性
- LIGAプロセスによる高周波厚膜磁心の製作に関する研究
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜のGHz透磁率特性
- RF集積化インダクタの局部寸法設計に関する考察
- (CoFeB)-(SiO_2)系アモルファス高電気抵抗膜の高周波特性とGHz帯インダクタへの応用
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜の高周波透磁率特性
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜の高周波透磁率特性とGHz帯インダクタへの応用
- (CoFeB)-(SiO_2)系高電気抵抗膜の高周波透磁率特性
- 混合ブリッジ接続した高周波キャリア型薄膜磁界センサ
- 高周波キャリア型薄膜磁界センサの検出磁界分解能
- SmCo薄膜磁石を用いてバイアス磁界制御を行った高周波キャリア型薄膜磁界センサ
- 高周波キャリア形高感度薄膜磁界センサを用いた生体埋め込み用磁性マーカの位置検出の可能性
- 混合ブリッジ接続した高周波キャリア形薄膜磁界センサ
- 高周波キャリア形薄膜磁界センサの検出感度
- 高周波キャリア形薄膜磁界センサによる新方式ブリッジ回路