山口 正洋 | 東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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概要
関連著者
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山口 正洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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山口 正洋
東北大・工
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山口 正洋
東北大学
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荒井 賢一
東北大学電気通信研究所
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山口 正洋
東北大学大学院工学研究科
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島田 寛
東北大学大学院工学研究科
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島田 寛
東北大科研
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島田 寛
東北大・多元研
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山口 正洋
東北大学工学部
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島田 寛
東北大学工学研究科電気通信工学専攻
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吉田 栄吉
NEC トーキン(株)
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鳥塚 英樹
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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鳥塚 英樹
東北大学大学院工学研究科
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川人 祥二
静岡大学電子工学研究所
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遠藤 恭
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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増田 則夫
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
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川人 祥二
静大・電研
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遠藤 恭
東北大学
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菊地 新喜
東北学院大学工学部
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玉置 尚哉
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
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川人 祥二
静岡大学 電子工学研究所
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石山 和志
東北大学電気通信研究所
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難波 志織
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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青山 聡
(株)ブルックマン テクノロジ
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小屋 祥太
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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青山 聡
静岡大学電子工学研究所
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八木 正昭
崇城大学
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丸田 佳織
三菱総合研究所
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小屋 祥太
東北大学
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栗山 敏秀
日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
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八木 正昭
崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所
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宮澤 安範
東栄科学産業
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小舘 航
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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石原 昇
東京工業大学総合研究院
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北上 修
東北大学多元物質科学研究所
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川人 祥二
静岡大学
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菊池 弘昭
東北大学電気通信研究所
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三束 芳央
東北大学
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宗像 誠
崇城大学
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塩澤 誠一
東北大学大学院工学研究科
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本間 尚文
東北大学大学院情報科学研究科
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青木 孝文
東北大学大学院情報科学研究科
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佐藤 証
独立行政法人産業技術総合研究所情報セキュリティ研究センター
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青木 孝文
東北大学 大学院情報科学研究科
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岡本 聡
東北大学多元物質科学研究所
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佐藤 敏郎
信州大学スピンデバイステクノロジーセンター
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安井 健史
東北大学大学院工学研究科
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佐藤 敏郎
信州大学工学部
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山沢 清人
信州大学工学部
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安道 徳昭
日本電気株式会社
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仙道 雅彦
東北大学電気通信研究所
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馬場 誠
東北大・通研
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増田 則夫
日本電気株式会社 生産技術研究所
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菅原 健
東北大学大学院情報科学研究科
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末沢 健吉
東北大学電気通信研究所
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佐藤 証
産業技術総合研究所
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玉置 尚哉
日本電気(株)
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増田 則夫
日本電気(株)
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栗山 敏秀
日本電気(株)
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玉置 尚哉
NEC
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増田 則夫
NEC
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上西 克二
凌和電子株式会社
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Yan Zhuang
Delft University of Technology
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Marina Vroubel
Delft University of Technology
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Behzad Rejaei
Delft University of Technology
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卜 金清
東北大学電気通信研究所
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小野 裕司
Necトーキン株式会社 研究開発本部
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小野 裕司
Necトーキン
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竹澤 昌晃
九州工業大学
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菊池 隼人
東北大学大学院工学研究科
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丸田 佳織
東北大学
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青山 聡
静岡大学 電子科学研究科
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齊藤 信作
NECデバイスプラットフォーム研究所
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安道 徳昭
日本電気(株)生産技術研究所
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中田 浩一
東北大学電気通信研究所
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大橋 啓之
日本電気(株)
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大橋 啓之
NEC
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茶谷 健一
Necトーキン
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斉藤 信作
日本電気(株)
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八木 正昭
崇城大学 エネルギーエレクトロニクス研究所
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鈴木 和彦
北習志野花輪病院整形外科
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竹澤 昌晃
東北大学電気通信研究所
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山口 正洋
東北大学電気通信研究所
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島田 寛
東北大学多元物質科学研究所
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斎藤 信作
Nec
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高橋 祐一
東北学院大学工学部
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斎藤 美紀子
早稲田大学
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齋藤 美紀子
Nec・機能エレクトロニクス研究所
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稲垣 孝嘉
東北大学
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室賀 翔
東北大学工学研究科
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加藤 邦男
早大
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山田 康晴
(株)島津製作所
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山田 康晴
島津製作所
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宗像 誠
崇城大学エネルギーエレクトロニクス研究所
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山田 康晴
(株)島津製作所基盤技術研究所
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卜 金清
東北大学
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中居 倫夫
宮城県産業技術総合センター
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Kawahito Shoji
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Ki Hyeon
Dept. of Physics, Yeungnam University
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室賀 翔
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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丸田 佳織
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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田邉 信二
三菱電機(株)材料デバイス研究所
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増田 則夫
日本電気株式会社
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山口 正洋
東京大学大学院医学系研究科
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藪上 信
東北学院大学工学部
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若生 直樹
トーキン
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
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石田 芳也
北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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杉山 進
立命館大学理工学部
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田路 和幸
東北大学大学院環境科学研究科
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佐藤 文博
東北大学大学院工学研究科
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松木 英敏
東北大学大学院医工学研究科
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江刺 正喜
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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佐々木 義人
アルプス電気(株)
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畑内 隆史
アルプス電気(株)
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早瀬 敏幸
東北大学流体科学研究所附属流体融合研究センター
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佐々木 義人
アルプス電気
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佐藤 敏郎
信州大学
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畑内 隆史
アルプス電気
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畑内 隆史
アルプス電気(株)中央研究所
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増本 健
電気磁気材料研究所
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大内 一弘
秋田県高度技術研究所
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山川 清志
秋田県高度技術研究所
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伊東 健治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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Qin G.
東北大学大学院工学研究科電気通信工学専攻
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及川 勝成
東北大学大学院工学研究科金属フロンティア工学専攻
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及川 勝成
東北大学工学研究科
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北上 修
東北大学 多元研
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鈴木 哲
仙台電波工業高等専門学校
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篠田 弘造
東北大学多元物質科学研究所
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吉田 栄吉
NECトーキン株式会社
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斎藤 美紀子
NEC
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栗山 敏秀
日本電気・マイクロエレクトロニクス研究所
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三浦 義正
信州大学工学部
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山崎 彩
東北大学電気通信研究所
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伊東 健治
三菱電機株式会社
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伊東 健治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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伊東 健治
三菱電機
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馬渡 宏
東北大学電気通信研究所
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藪上 信
東北大学電気通信研究所
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遠矢 弘和
NEC
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小野 敏明
Necトーキン株式会社
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小野 敏明
Necトーキン
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小野 敏明
トーキンマイクロエレクトロニクス株式会社
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齋藤 信作
日本電気(株)システムデバイス研究所
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武田 茂
(有) Magnontech
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斎藤 美紀子
NEC機能デバイス研究所
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大橋 啓之
NEC機能デバイス研究所
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鈴木 哲
仙台電波高専
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久住 孝幸
秋田県産業技術総合研究センタ
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白木 康博
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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菊池 弘昭
岩手大学工学部附属金属材料保全工学研究センター
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増本 健
財団法人電気磁気材料研究所
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伊藤 哲夫
Necトーキン(株)
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及川 勝成
東北大学大学院工学研究科
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斉藤 信作
Nec デバイスプラットフォーム研
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KUEPFERLING M.
INRIM
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PASQUALE M.
INRIM
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BERTOTTI G.
INRIM
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OLIVETTI E.
INRIM
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COISSON M.
INRIM
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CELEGATO F.
INRIM
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SERRANO-GUISAN S.
PTB
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SCHUMACHER H.
PTB
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KABOS P.
NIST
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芳賀 昭
東北学院大
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サンディープ ドゥンガナ
東北大学大学院工学研究科
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ロ エン
東北大学
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石井 豪
東北大学大学院工学研究科
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伊藤 哲夫
東北学院大学大学院工学研究科
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栗山 敏秀
日本電気株式会社
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栗山 敏秀
Nec実装研
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山本 知広
信州大学工学部
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中山 英俊
長野高専
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阿部 哲也
東北大学
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加藤 邦男
日本電気(株)
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安道 徳昭
NEC
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加藤 邦男
NEC
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佐藤 徳之
東北大学工学部
-
曽根原 誠
信州大学工学部電気電子工学科
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兒玉 大輔
東北大学大学院環境科学研究科
-
B. ジャヤデワン
滋賀県立大学工学研究科材料科学専攻
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小林 翔一
東北大学
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KIM Ki
Yeungnam University
-
ZHUANG Yan
Delft University of Technology
-
VROUBEL Marina
Delft University of Technology
-
REJAEI Behzad
Delft University of Technology
-
李 衛東
トーキン
-
星野 茂樹
(株)日本電気特許技術情報センター
-
玉置 尚哉
日本電気株式会社
-
星野 茂樹
技術研究組合超先端電子技術開発機構(aset)
-
杉山 進
立命館大学 立命館グローバル・イノベーション研究機構
-
白川 究
電気磁気材料研究所
-
岩波 瑞樹
Necシステム実装研究所
-
遠矢 弘和
日本電気株式会社
-
小野 裕司
Necトーキン株式会社ファンクショナルデバイス事業本部emcデバイス事業部技術部
-
大沼 繁弘
電気磁気材料研究所
-
栗山 敏秀
NEC デバイス評価技術研究所 EMC技術センター
-
ドゥンガナ サンディープ
東北大学
著作論文
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作(放送/一般)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブの開発(EMC 一般)
- B-4-46 RF集積化マイクロ磁界プローブを用いた伝送線路の近傍磁界計測(B-4.環境電磁工学,一般講演)
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた伝送線路からの放射磁界計測
- 高感度アクティブ磁界プローブによる2次元ノイズマッピング
- CMOS-SOI技術を用いた集積化アクティブ磁界プローブ(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 複合構造を持つ軟磁性微粒子の初透磁率(薄膜・微粒子・多層膜・人工格子)
- 微粒子の透磁率と複合化の効果
- 複合微粒子集合体の初透磁率(Selected Papers from the Fourth International Workshop on High Frequency Micromagnetic Devices and Materials(MMDM4))
- リフトオフ法によるAl/NiFe多層構造コプレーナ線路の試作と特性評価
- 異なるCPW-FMR測定によるNi-Fe薄膜のダンピング定数に関する研究
- CPW-FMR測定による磁性薄膜のダンピング定数に関する研究
- 磁性薄膜を用いた暗号LSIのサイドチャンネルアタック抑制法とその効果検証
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた暗号LSIの近傍磁界計測(放送/一般)
- 電磁界解析と透磁率解析を連成させたDC-DCコンバータ用パワーインダクタの磁気特性モデリング
- DC-DCコンバータ用マイクロパワーインダクタの高効率低背化に関する検討
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作
- SB-2-1 薄膜シールディドループコイルによる配線上の磁界計測
- 2μmグランド開口を有する高周波磁界センサー用微小ループコイルの試作
- C-2-60 Cu/Co_Zr_2Nb_多層膜構造によるスパイラルインダクタの高Q化(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- サブミクロンサイズFe-Co粒子の高周波特性
- 薄膜円盤モデルにおける渦電流損失解析とその電磁ノイズ抑制体への適用方法に関する考察
- C-2-67 負の透磁率を用いた表皮効果抑制の実験的検証(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-66 導体/磁性体多層膜によるマイクロ波帯における表皮効果抑制(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- チップサービスを用いた伝送線路の特性と集積化磁性流体の伝送特性に与える影響
- 負の透磁率による高周波導体抵抗の低減に関する研究
- 薄膜ノイズ抑制体を模擬した円盤モデルにおける渦電流損失の周波数特性(回路/デバイス/一般-若手研究者発表会)
- フリップチップ接続を有する近傍磁界計測用薄膜微小シールディドループプローブ(マイクロ波,ミリ波)
- 薄膜磁界プローブの開発
- オンチップ集積化マイクロ磁界プローブを用いた暗号LSIの近傍磁界計測(放送/一般)
- MSLモデルに基づいた液晶パネルのソースバスライン電流解析
- CoFeBアモルファス金属磁性膜を用いたGHz帯用薄膜コプレーナ伝送線路の試作
- 小型磁界センサとLSIへの応用
- 全自動1MHz-3GHz薄膜透磁率測定装置の開発
- グラニュラー高電気抵抗膜の磁気異方性と高周波損失
- 近傍磁界計測による液晶ドライバICの高周波電流推定(放送/一般)
- 近傍磁界計測による液晶ドライバICの高周波電流推定(放送/一般)
- B-4-55 LSIチップ内の非接触高周波電流波形観測(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- 高周波マイクロ磁気デバイス用Mn-Ir/Fe-Si交換結合膜の作製と特性評価(ソフト磁性材料)
- オンチップ薄膜電磁ノイズ抑制体における損失極大周波数の反磁界による制御
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作
- 面内および面直方向の渦電流分布を考慮した薄膜電磁ノイズ抑制体の損失計算
- 磁性材料のエレクトロニクス実装への応用
- C-2-81 反共振特性を利用した回路と右手/左手系線路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- 高電気抵抗グラニュラ膜の微細パターン化とそのGHzインダクタへの適用
- (CoFeB)-(SiO_2) 超高電気抵抗膜の軟磁気特性と高周波透磁率
- マイクロ電源用薄膜磁心マイクロインダクタ
- 磁性薄膜によるICチップのRF電磁ノイズ抑制効果
- 薄膜電磁ノイズ抑制体における最適シート抵抗発現機構に関する考察
- パターン化磁性薄膜を用いたRF集積化インダクタにおける共振・共鳴現象の解析
- C-2-41 LTCC技術を用いた感温型高周波アッテネータの開発(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- RF強磁性薄膜インダクタにおけるパターン化磁性膜の配置とその高周波特性
- CPW線路を用いた20GHz帯における透磁率測定の試み
- 3^ International Workshop on High Frequency Micromagnetic Devices and Materilas (MMDM3)報告(学会・研究会報告, 情報の広場)
- 磁性薄膜を用いた電磁ノイズ抑制体におけるシート抵抗の影響(生体EMC/一般)
- C-12-26 FeCoB磁性薄膜を用いたRF集積化インダクタ(C-12. 集積回路C(アナログ), エレクトロニクス2)
- B-4-51 ノイズ抑制シートのFEM特性評価シミュレーション(B-4. 環境電磁工学, 通信1)
- EMCと磁気応用IV : マイクロEMC
- スリットパターン化したCoFeB/SiO_2膜の異方性磁界
- RF磁性薄膜インダクタの閉磁路化プロセス
- 高飽和磁化bcc-FeCo相を含む(FeCo)-(SiO_2)膜の磁気特性とGHz透磁率特性
- EMCと磁気応用I : シールディドループコイルを用いた高周波磁界計測(連載講座)
- RF集積化マイクロ磁気デバイス(特別ワークショップ「RFマイクロエレクトロニクス」)
- コプレーナ配置した薄膜磁石バイアス構造を有する高周波キャリア型磁界センサ
- 総論
- 《第3回》プリント基板近傍の磁界計測
- コプレーナ配置した薄膜磁石バイアス構造を有する高周波キャリア型磁界センサ
- マイクロパターン化されたCoZrNb磁性膜の磁区観察
- マイクロスケールのEMC対策技術と材料評価技術
- C-7-7 ヘッドアーム上における伝送線路の高周波特性評価
- Co-Fe-B系軟磁性膜の異方性磁界とGHz帯透磁率特性
- 磁性膜のスリット加工による形状異方性制御における加工形状と磁気特性の関係のシミュレーション
- 3235 交流磁性マーカによる磁界発生実験
- 超高周波透磁率測定装置の開発
- ワイヤレス交流磁性マーカの作製
- マイクロパターン化磁性膜の実効静的透磁率
- 高異方性磁界を有する(CoFeB)-(SiO_2)系アモルファス膜の高周波磁気特性
- 進行波型薄膜透磁率測定装置の開発
- RF集積化磁性薄膜インダクタの等価回路解析
- 「マイクロ磁気デバイスのシステム化調査専門委員会」解散報告 : マイクロ磁気デバイスの最前線
- 高周波キャリア型薄膜磁界センサによるEMC計測
- 泳動型磁気マイクロマシンの始動特性
- 微小な永久磁石を用いた位置検出システムの位置精度
- 小形交流磁性マーカの設計と応用
- 2ポート型集積化磁性薄膜インダクタの特性
- スパイラル型磁気マイクロマシンの始動特性
- 直接通電による短冊薄膜の高周波透磁率計測
- 共振回路を用いた交流磁性マーカ
- キャリアサプレス回路による検出磁界分解能向上の検討
- 1302 医用応用を目的とした磁気マイクロマシンシステムの開発
- LIGAプロセスによる高周波厚膜磁心の製作に関する研究
- CoAlPdO高電気抵抗膜の特性とRF集積化インダクタへの応用の可能性
- 高周波キャリア型微細薄膜磁界センサの動作
- (CoFeB)-(SiO_2)系アモルファス高電気抵抗膜の高周波特性とGHz帯インダクタへの応用
- 高周波キャリア型薄膜磁界センサの小形化の検討
- マイクロ磁気デバイスの高機能化調査専門委員会
- 高周波キャリア型薄膜磁界センサの寸法最適化
- 電磁ノイズの高分解能・2次元ベクトル可視化装置
- 近傍電磁ノイズの2次元ベクトル・高分解能マッピング装置
- 4)多層プリント配線板を用いた平面形コイルによるHFUHF帯の電磁計測(無線・光伝送研究会)
- 3)多層基板構造による高空間分解能磁界プローブ(無線・光伝送研究会)
- GHz帯薄膜インダクタの基本特性に関する有限要素法シミュレーション
- LSIパッケージの高空間分解能磁界計測によるEMI波源探査
- ウェハプローブを用いた高周波インピーダンス測定
- 電磁ノイズの2次元・高分解能マッピング装置
- 可飽和型リングコアを用いた電流センサの試作
- 平面コイルアレーによるプリント配線板の2次元近傍電磁雑音マッピング装置
- GHz駆動磁性薄膜インダクタの試作プロセス
- 可飽和型リングコアを用いた薄膜電流センサの試作
- マイクロ磁気アクチュエータの開発 : コードレスで歩く,飛ぶ
- IEEE International Magnetics Conference 2009 報告
- 100MHzを超える高周波帯用電磁ノイズ対策材料
- 微小円盤の渦電流損計算とその電磁ノイズ抑制体への適用(電磁界理論)
- B-4-36 導体/磁性体積層膜による薄型電磁シールド(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- 低雑音増幅器を用いたオンチップ集積化磁界プローブの設計及び試作
- トンネル磁気抵抗型ヘッドにおける磁化揺らぎノイズ計測
- バックコンバータ用パワーインダクタの設計を目的とした透磁率解析と電磁界解析の連成