Yan Zhuang | Delft University of Technology
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概要
関連著者
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山口 正洋
東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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島田 寛
東北大学大学院工学研究科
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島田 寛
東北大科研
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島田 寛
東北大学工学研究科電気通信工学専攻
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島田 寛
東北大・多元研
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塩澤 誠一
東北大学大学院工学研究科
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Yan Zhuang
Delft University of Technology
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Marina Vroubel
Delft University of Technology
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Behzad Rejaei
Delft University of Technology
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山口 正洋
東大 大学院医学系研究科
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島田 寛
東北大
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吉田 栄吉
NEC トーキン(株)
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Ki Hyeon
Dept. of Physics, Yeungnam University
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山口 正洋
東北大学大学院
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Ki Hyeon
Dept. Of Physics Yeungnam University
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山口 正洋
東北大工
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KIM Ki
Yeungnam University
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ZHUANG Yan
Delft University of Technology
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VROUBEL Marina
Delft University of Technology
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REJAEI Behzad
Delft University of Technology
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山口 正洋
東北大学
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Hyeon Kim
Yeungnam University
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島田 寛
東北大学
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KIM Ki
東北大・工
著作論文
- C-2-67 負の透磁率を用いた表皮効果抑制の実験的検証(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-66 導体/磁性体多層膜によるマイクロ波帯における表皮効果抑制(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 負の透磁率による高周波導体抵抗の低減に関する研究