斉藤 信作 | 日本電気(株)
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概要
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斉藤 信作
日本電気(株)
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NEC機能デバイス研究所
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日本電気(株)
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日本電気(株)
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日本電気(株)
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NEC機能デバイス研究所
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NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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笠井 直記
NECエレクトロンデバイス先端デバイス開発本部
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日本電気(株)
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日本電気(株)
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NEC機能デバイス研究所
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尾崎 康亮
Necエレクトロニクス株式会社 先端デバイス開発部
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東北大学
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五十嵐 忠二
NECデバイスプラットフォーム研究所
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波田 博光
日本電気(株)
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三浦 貞彦
日本電気(株)
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永原 聖万
日本電気(株)
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石綿 延行
Necデバイスプラットフォーム研究所
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石綿 延行
日本電気株式会社 機能デバイス研究所
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笠井 直記
Nec 先端デバイス開発本部
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東北大学大学院工学研究科電気・通信工学専攻
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日本電気(株)基礎研究所
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田原 修一
NEC基礎研究所
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東北大学電気通信研究所
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日本電気(株)
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NEC 機能エレクトロニクス研究所
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日本電気株式会社生産技術研究所実装設計テクノロジーグループ
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石綿 延行
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野中 聡
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野中 誠
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北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科
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NECエレクトロニクス(株)
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日本電気(株)システムデバイス研究所
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(株)東芝 研究開発センター
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石 勉
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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栗山 敏秀
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NEC
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羽生 貴弘
東北大学
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日本電気(株)デバイス評価技術研究所
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石 勉
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(株)東芝研究開発センター
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大野 英男
東北大 電気通信研 ナノ・スピン実験施設
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大橋 啓之
日本電気株式会社
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大野 英男
東北大学 電気通信研究所 ナノ・スピン実験施設
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日本電気 グリーンイノベーション研究所
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三浦 貞彦
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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深見 俊輔
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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大嶋 則和
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斉藤 信作
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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根橋 竜介
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崎村 昇
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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森 馨
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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谷川 博信
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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杉林 直彦
日本電気 グリーンイノベーション研究所
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遠藤 哲郎
東北大学
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與田 博明
東芝 研開セ
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松寺 久雄
Nec機能デバイス研
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大野 英男
東北大学省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター
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斉藤 信作
Nec
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木下 啓蔵
東北大学
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辻 幸秀
日本電気株式会社
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深見 俊輔
東北大学
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齊藤 信作
日本電気株式会社
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三浦 貞彦
日本電気株式会社
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斉藤 信作
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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辻 幸秀
NECグリーンイノベーション研究所
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大野 英男
東北大学
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崎村 昇
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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本庄 弘明
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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加藤 有光
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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杉林 直彦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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笠井 直記
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
著作論文
- 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- SoC混載に適した垂直磁化磁壁移動型MRAM
- MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 超小型コアヘッドによる高周波磁気記録
- SC-5-4 Co-Ni-Feめっき膜を用いた高密度記録ヘッドの開発
- 高飽和磁化磁極を用いた記録ヘッド : 高速記録用小型コアCo-Ni-Fe記録ヘッド
- MR2000-15 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- 高Bs記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性
- 高速記録用小型コア高Bsヘッドの記録特性
- 高Be記録ヘッドによる高保磁力媒体への記録特性
- オフトラックノイズ特性に及ぼす記録ヘッドの影響
- SB-2-1 薄膜シールディドループコイルによる配線上の磁界計測
- 2μmグランド開口を有する高周波磁界センサー用微小ループコイルの試作
- 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- オフトラックノイズ特性に及ぼす記録ヘッドの影響
- C-12-5 磁気フリップフロップによる不揮発性論理演算マクロの設計と実証(C-12.集積回路,一般セッション)
- スピン移行トルク磁壁移動を用いた高速磁気ランダムアクセスメモリ
- 半ピッチシフト方式とビット線分離型2T1MTJセルを用いた混載向け250MHz、1Mb-MRAMマクロ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- 3端子磁壁移動型セルを用いた不揮発性コンテントアドレッサブルメモリ(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)